[發明專利]形成發光二極管元件的方法

無效

• 申請號: 200710301239.2
• 申請日: 2007-12-17
• 公開（公告）號: CN101465319A
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發明（設計）人: 李明順;邱舒偉
• 申請（專利權）人: 洲磊曜富科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L33/00
• 代理公司: 北京申翔知識產權代理有限公司
• 代理人: 周春發

1.一種形成發光二極管元件的方法，包含以下步驟：

(1)在非導電基板上形成發光二極管磊晶層，構成發光二極管芯片，發光二極管磊晶層由下而上依次為第一型半導體層、主動層、第二型半導體；

(2)在發光二極管磊晶層上形成一導電基板；

(3)移除非導電基板的大部分厚度；

(4)切割發光二極管芯片成復數條發光二極管晶條；

(5)以夾具夾集固定該復數條發光二極管晶條，并且使得每個發光二極管晶條的非導電基板朝上；

(6)在每兩條該發光二極管晶條中夾一間隔層，其中該間隔層的高度必須足以完全覆蓋住第二型半導體層和主動層，只露出第一半導體層；

(7)于整排發光二極管晶條和間隔上形成透明導電層；

藉此，可對該復數條發光二極管晶條的表面與露出的側面實施制程。

2.如權利要求1所述的形成發光二極管元件的方法，其中該側面實施制程是進行抗反射處理于該復數條發光二極管晶條的表面與露出的側面。

3.如權利要求2所述的形成發光二極管元件的方法，其中該抗反射處理為表面粗化處理或抗反射涂布其中之一，其中該抗反射涂布為形成至少一抗反射層于該發光二極管晶條的該表面與該露出的側面。

4.如權利要求1所述的形成發光二極管元件的方法，其中該側面實施制程進一步包含有下列步驟：

形成高反射層于整排該復數條發光二極管晶條及該復數條間隔層上；以及

移除該復數條發光二極管晶條的該表面的該高反射層，

藉此，于該復數條發光二極管晶條露出的側面上形成該高反射層。

5.如權利要求1所述的形成發光二極管元件的方法，其中復數個電極位于該發光二極管磊晶層上。