[發(fā)明專利]表面貼裝型發(fā)光二極管組件及發(fā)光二極管背光模組有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710201358.0 | 申請日: | 2007-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN101369619A | 公開(公告)日: | 2009-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 賴志銘;徐弘光 | 申請(專利權(quán))人: | 富士邁半導體精密工業(yè)(上海)有限公司;沛鑫半導體工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;G02F1/13357 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201600上海市松江區(qū)松*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 表面 貼裝型 發(fā)光二極管 組件 背光 模組 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種表面貼裝型發(fā)光二極管組件及采用該表面貼裝型發(fā)光二極管組件的發(fā)光二極管背光模組。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(LED,Light?Emitting?Diode)以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅(qū)動簡單、壽命長等優(yōu)點,從而可廣泛應(yīng)用于液晶顯示器的背光源,可參見Chien-Chih?Chen等人在文獻IEEE?Transactions?on?power?electronics,Vol.22,No.3May?2007中的S?equential?Color?LED?Backlight?Driving?System?forLCD?Panels一文。
常見的LED的背光源包括具有光入射面的導光板,以及與該入射面相對設(shè)置的表面貼裝型LED(Surface?Mount?LED)。該表面貼裝型LED包括基底、設(shè)置在基底上的LED芯片,以及設(shè)置在基底上并覆蓋該LED芯片的封裝體,該封裝體的遠離所述基底的一側(cè)的表面為出光面,且該出光面為平面。當LED芯片發(fā)出的光透射過封裝體并從出光面出射至封裝體外部的空氣中時,光是從光密介質(zhì)傳向光疏介質(zhì)的,因此部分到達出光面的光會產(chǎn)生全反射現(xiàn)象,使得LED芯片發(fā)出的光無法完全出射至導光板內(nèi)部,從而造成光能量的損失。
有鑒于此,有必要提供一種可減少全反射現(xiàn)象以盡量減少光能量損失的表面貼裝型發(fā)光二極管組件及發(fā)光二極管背光模組。
發(fā)明內(nèi)容
下面將以具體實施例說明一種可減少全反射現(xiàn)象以盡量減少光能量損失的表面貼裝型發(fā)光二極管組件及發(fā)光二極管背光模組。
一種表面貼裝型發(fā)光二極管組件,其包括基底,焊盤,發(fā)光二極管芯片以及封裝透鏡,該焊盤、發(fā)光二極管芯片及封裝透鏡均設(shè)置在該基底上,該焊盤與所述發(fā)光二極管芯片電連接,該封裝透鏡覆蓋所述發(fā)光二極管芯片,其中,所述封裝透鏡包括遠離所述發(fā)光二極管芯片的出光面,該出光面包括一第一出光部、一第二出光部及一第三出光部,該第一、第二、第三出光部均與基底相接,該第一出光部沿一遠離基底的方向凸起而形成曲面,該第二出光部及第三出光部分別與第一出光部相鄰,該第二出光部與第三出光部相對設(shè)置在第一出光部的兩側(cè)且由第一出光部所隔開。
一種發(fā)光二極管背光模組,包括表面貼裝型發(fā)光二極管組件及導光板,所述導光板包括一第一表面,該表面貼裝型發(fā)光二極管組件包括基底,焊盤,發(fā)光二極管芯片以及封裝透鏡,該焊盤、發(fā)光二極管芯片及封裝透鏡均設(shè)置在該基底上,該焊盤與所述發(fā)光二極管芯片電連接,該封裝透鏡覆蓋所述發(fā)光二極管芯片,其中所述封裝透鏡包括遠離所述發(fā)光二極管芯片的出光面,該出光面包括一第一出光部、一第二出光部及一第三出光部,該第一、第二、第三出光部均與基底相接,該第一出光部沿一遠離基底的方向凸起而形成曲面,該第二出光部及第三出光部分別與第一出光部相鄰,該第二出光部與第三出光部相對設(shè)置在第一出光部的兩側(cè)且由第一出光部所隔開,所述第一表面上向內(nèi)凹設(shè)有收容部,所述封裝透鏡收容在該收容部內(nèi)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,所述表面貼裝型發(fā)光二極管組件,其出光面包括一第一出光部且該第一出光部為曲面,從而可使來自發(fā)光二極管芯片的光線經(jīng)由封裝透鏡以盡可能小的入射角度入射至該出光面,以減少全反射現(xiàn)象的發(fā)生,該種表面貼裝型發(fā)光二極管組件及采用該種表面貼裝型發(fā)光二極管組件的發(fā)光二極管背光模組可具有出光效率高的特點。
附圖說明
圖1是本發(fā)明第一實施例所提供的表面貼裝型發(fā)光二極管組件的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是圖1所示表面貼裝型發(fā)光二極管組件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明第二實施例所提供的背光模組的截面示意圖。
圖4是本發(fā)明第三實施例所提供的表面貼裝型發(fā)光二極管組件的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是圖4所示表面貼裝型發(fā)光二極管組件的俯視圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例作進一步的詳細說明。
參見圖1及圖2,本發(fā)明第一實施例所提供的表面貼裝型發(fā)光二極管組件10包括:基底11,發(fā)光二極管芯片12以及封裝透鏡13。
該基底11用于承載所述發(fā)光二極管芯片12,其材質(zhì)可為氮化鎵等半導體材料。該基底11上還設(shè)置有用于向發(fā)光二極管芯片12供電的第一電極110、第二電極112,該第一電極110、第二電極112分別與發(fā)光二極管芯片12電連接并在基底11上形成焊盤結(jié)構(gòu)。
該發(fā)光二極管芯片12設(shè)置在基底11上,其可為氮化鎵(GaN)發(fā)光二極管芯片、氮化銦鎵(InGaN)發(fā)光二極管芯片或磷化鋁銦鎵(AlInGaP)發(fā)光二極管芯片等。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于富士邁半導體精密工業(yè)(上海)有限公司;沛鑫半導體工業(yè)股份有限公司,未經(jīng)富士邁半導體精密工業(yè)(上海)有限公司;沛鑫半導體工業(yè)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710201358.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:掰手腕機器人和控制方法
- 下一篇:接收裝置





