[發(fā)明專利]控制系統(tǒng)及其數(shù)據(jù)和程序的存儲方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710201119.5
• 申請日: 2007-07-18
• 公開（公告）號: CN101079005A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁敏
• 申請（專利權(quán)）人: 四川長虹電器股份有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 成都虹橋?qū)＠聞?wù)所
• 代理人: 李順德

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子設(shè)備控制系統(tǒng)，特別涉及控制系統(tǒng)及其數(shù)據(jù)和程序的存儲方法。

背景技術(shù)

目前為了提高芯片的性價(jià)比，大多數(shù)新開發(fā)的單片機(jī)芯片都大大壓縮了內(nèi)部的程序ROM，這就導(dǎo)致需要外掛的存儲器來存放電子設(shè)備控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)和程序。相對于芯片開發(fā)商來說，芯片的成本降低了，但電子設(shè)備的整機(jī)開發(fā)成本是沒有變化的，因?yàn)樾酒∠舜娣懦绦虻膬?nèi)部ROM，則電子設(shè)備控制系統(tǒng)的程序就存放在外掛的FLASH存儲器中，由于FLASH存儲器掉電后，它內(nèi)部存儲的控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)易丟失，所以控制系統(tǒng)的初始化數(shù)據(jù)則存放在外掛的EEPROM中。這樣，對于電子設(shè)備生產(chǎn)而言，生產(chǎn)線在燒寫FLASH存儲器的同時(shí)，還要燒寫EEPROM芯片，增加了生產(chǎn)、貼裝芯片過程的繁瑣。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，針對目前控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)和程序存儲過程繁瑣的問題，提供一種控制系統(tǒng)及其數(shù)據(jù)和程序的存儲方法。

本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是，控制系統(tǒng)，包括控制芯片，外掛的FLASH存儲器，控制芯片與FLASH存儲器相連，其特征是，控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)和程序分別存儲在FLASH存儲器的數(shù)據(jù)扇區(qū)和程序扇區(qū)。

控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)和程序的存儲方法，包括下列步驟；

a、將控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)和程序?qū)懭隖LASH存儲器，數(shù)據(jù)和程序存儲在不同的扇區(qū)；

b、控制芯片通過激活FLASH存儲器的讀/寫寄存器來分別控制對FLASH存儲器的讀/寫操作。

本發(fā)明的有益效果是，突破了在以往電子設(shè)備的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，需要將控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲在EPROM中，控制系統(tǒng)的程序存儲在FLASH存儲器中的思路，而直接將控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)和程序同時(shí)存儲在FLASH存儲器中，簡化了電子設(shè)備的系統(tǒng)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和調(diào)試流程；對電子設(shè)備的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案的改動較小，解決方案簡單易行、實(shí)施可靠、具有較高的性價(jià)比。

以下結(jié)合具體實(shí)施方式和附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

附圖說明

圖1是實(shí)施例的示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的控制系統(tǒng)運(yùn)用在電子設(shè)備的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，包括控制芯片和外掛的FLASH存儲器，控制芯片與FLASH存儲器相連，控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)和程序分別存儲在FLASH存儲器的數(shù)據(jù)扇區(qū)和程序扇區(qū)。具體地講，控制芯片通過串行數(shù)據(jù)輸入端，串行數(shù)據(jù)輸出端，串行時(shí)鐘信號端，芯片始能控制端，寫保護(hù)狀態(tài)設(shè)置端與FLASH存儲器相連。這樣，對電子設(shè)備的系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言，就只需要燒寫FLASH存儲器及貼裝芯片，減少了燒寫EEPROM及貼裝芯片的過程。同時(shí)，電路上也省去了對EEPROM芯片保留供電的電路，只需對FLASH存儲器供電即可。本發(fā)明簡化了電子設(shè)備的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。

本發(fā)明的控制系統(tǒng)程序及數(shù)據(jù)的存儲方法包括下列步驟：

a、將控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)及程序?qū)懭隖LASH存儲器，數(shù)據(jù)和程序存儲在不同的扇區(qū)，控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)寫入FLASH存儲器的底層扇區(qū)，控制系統(tǒng)的程序?qū)懭隖LASH存儲器的底層扇區(qū)以上的扇區(qū)；

b、控制芯片通過激活FLASH存儲器的讀/寫寄存器來分別控制對FLASH存儲器的讀/寫操作：

上電后，控制芯片將FLASH存儲器存放數(shù)據(jù)的扇區(qū)置為寫保護(hù)模式，并激活FLASH存儲器存放數(shù)據(jù)的扇區(qū)的讀控制寄存器；

掉電前，控制芯片取消對FLASH存儲器的寫保護(hù)模式，并激活FLASH存儲器存放數(shù)據(jù)的扇區(qū)的寫控制寄存器，將FLASH存儲器中的相關(guān)數(shù)據(jù)寫入存放數(shù)據(jù)的扇區(qū)。

本發(fā)明將控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)和程序同時(shí)存放在FLASH存儲器中，在生產(chǎn)過程中，只需對FLASH存儲器進(jìn)行預(yù)先寫數(shù)據(jù)和程序，簡化了電子設(shè)備的調(diào)試過程。

實(shí)施例

本實(shí)例中，控制系統(tǒng)的控制芯片的型號為MST718，F(xiàn)LASH存儲器的芯片型號為Pm25lv040。MST718通過串行數(shù)據(jù)輸入端(SI)，串行數(shù)據(jù)輸出端(SO)，串行時(shí)鐘信號端(SCK)，芯片始能控制端(CE)，寫保護(hù)狀態(tài)設(shè)置端(WP)與Pm25lv040相連，如圖1所示

Pm25lv040一共有512K×8BIT的存儲空間，分為8個(gè)塊(BLOCK)，每個(gè)塊又分為64個(gè)扇區(qū)組，每個(gè)扇區(qū)組由16個(gè)鄰近扇區(qū)(Sector)組成，參見下表：