[發明專利]循序式存儲器及其存取方法

有效

• 申請號: 200710199165.6
• 申請日: 2007-12-18
• 公開（公告）號: CN101211666A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 陳張庭;陳重光
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C21/00
• 分類號: G11C21/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 王志森

1.一種循序存取存儲器的方法，應用于一存儲器，該存儲器具有m+1條位線及至少一行晶體管，m為正整數，該行晶體管依序具有m個晶體管，該第x個晶體管的第一端耦接至該第x條位線，該第x個晶體管的第二端耦接至該第x+1條位線，x為小于或等于m的正整數，該方法包括：

于一預放電周期，使得該多個晶體管的第一端及第二端的電壓電平均為一地電壓；

于一第n讀取周期，轉換該第n個晶體管的第一端的電壓電平為一源極電壓，轉換該第n個晶體管的第二端的電壓電平為一漏極電壓，轉換該第n+1個晶體管的第二端的電壓電平為一隔離電壓，n為小于m的正整數；以及

于一第m讀取周期，轉換該第m個晶體管的第一端的電壓電平為該源極電壓，轉換該第m個晶體管的第二端的電壓電平為該漏極電壓；

其中，該源極電壓相等于該地電壓。

2.如權利要求1所述的循序存取存儲器的方法，其中，該隔離電壓相近于該漏極電壓，使得該第n個晶體管通過該第n+1個晶體管與該第n+2個晶體管隔離。

3.如權利要求1所述的循序存取存儲器的方法，還包括：

于一放電周期，轉換該第m個晶體管的第二端的電壓電平為該地電壓。

4.一種循序式存儲器，包括：

m+1條位線，m為正整數；以及

至少一行存儲單元，依序具有m個存儲單元，每個存儲單元分別具有一晶體管，該第x個晶體管的第一端耦接至該第x條位線，該第x個晶體管的第二端耦接至該第x+1條位線，x為小于或等于m的正整數：

其中，于一預放電周期，該多個晶體管的第一端及第二端的電壓電平均為一地電壓；

其中，于一第n讀取周期，該第n個晶體管的第一端的電壓電平轉換為一源極電壓，該第n個晶體管的第二端的電壓電平轉換為一漏極電壓，該第n+1個晶體管的第二端的電壓電平轉換為一隔離電壓，n為小于m的正整數；

其中，于一第m讀取周期，該第m個晶體管的第一端的電壓電平轉換為該源極電壓，該第m個晶體管的第二端的電壓電平轉換為該漏極電壓；

其中，該源極電壓相等于該地電壓。

5.一種循序存取存儲器的方法，應用于一存儲器，該存儲器具有m+1條位線及至少一行晶體管，m為正整數，該行晶體管依序具有m個晶體管，該第x個晶體管的第一端耦接至該第x條位線，該第x個晶體管的第二端耦接至該第x+1條位線，x為小于或等于m的正整數，該方法包括：

于一預放電周期，使得該多個晶體管的第一端及第二端的電壓電平均為一地電壓；

于一第n編程周期，轉換該第m-n+1個晶體管的第二端的電壓電平為一源極電壓，轉換該第m-n+1個晶體管的第一端的電壓電平為一漏極電壓，轉換該第m-n個晶體管的第一端的電壓電平為一隔離電壓，n為小于m的正整數；以及

于一第m編程周期，轉換該第1個晶體管的第二端的電壓電平為該源極電壓，轉換該第1個晶體管的第一端的電壓電平為該漏極電壓；

其中，該源極電壓相等于該地電壓。

6.一種循序式存儲器，包括：

m+1條位線，m為正整數；以及

至少一行存儲單元，依序具有m個存儲單元，每個存儲單元分別具有一晶體管，該第x個晶體管的第一端耦接至該第x條位線，該第x個晶體管的第二端耦接至該第x+1條位線，x為小于或等于m的正整數：

其中，于一預放電周期，該多個晶體管的第一端及第二端的電壓電平均為一地電壓；

其中，于一第n編程周期，該第m-n+1個晶體管的第二端的電壓電平轉換為一源極電壓，該第m-n+1個晶體管的第一端的電壓電平轉換為一漏極電壓，該第m-n個晶體管的第一端的電壓電平轉換為一隔離電壓，n為小于m的正整數；

其中，于一第m讀取周期，該第1個晶體管的第二端的電壓電平轉換為該源極電壓，該第1個晶體管的第一端的電壓電平轉換為該漏極電壓；

其中，該源極電壓相等于該地電壓。