[發明專利]電子器件的制造方法及適合于該制造方法的涂布液有效
| 申請號: | 200710197103.1 | 申請日: | 2007-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN101197424A | 公開(公告)日: | 2008-06-11 |
| 發明(設計)人: | 湯本徹 | 申請(專利權)人: | 旭化成株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/00 | 分類號: | H01L51/00;H01L51/56;H01L51/48;C09D7/12 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子器件 制造 方法 適合于 涂布液 | ||
1.一種電子器件的制造方法,是層疊有至少兩層以上的含有有機物的層的電子器件的制造方法,其特征在于,使用含有有機物及金屬和/或金屬氧化物的涂布液A形成第一層即混合層,然后使用含有有機物的涂布液B來層疊形成第二層。
2.如權利要求1所述的電子器件的制造方法,其特征在于,上述電子器件,在一對電極之間層疊有至少兩層以上的含有有機物的層;
該制造方法包括:
在上述一對電極的一方的電極上直接涂布或通過介有其它層來涂布含有有機物及金屬和/或金屬氧化物的涂布液A,從而制膜形成第一層即混合層的第一工序,和
在通過該第一工序制膜形成的混合層上直接涂布含有有機物的涂布液B,從而制膜形成第二層的有機層的第二工序。
3.如權利要求2所述的電子器件的制造方法,其特征在于,上述一對電極的至少一方的電極是ITO;
該制造方法包括:
在上述ITO電極上直接涂布含有有機物及金屬和/或金屬氧化物的涂布液A,從而制膜形成第一層即混合層的第一工序,和
在通過該第一工序制膜形成的混合層上直接涂布含有有機物的涂布液B,從而制膜形成第二層的有機層的第二工序。
4.如權利要求1~3的任一項所述的電子器件的制造方法,其特征在于,上述有機物為有機半導體。
5.如權利要求4所述的電子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的有機半導體為選自空穴注入材料、空穴輸送材料、空穴注入輸送材料中的任一種。
6.如權利要求4所述的電子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的有機半導體為選自電子注入材料、電子輸送材料、電子注入輸送材料中的任一種。
7.如權利要求4所述的電子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的有機半導體為空穴電子輸送材料。
8.如權利要求1所述的電子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的金屬使用銦、錫、鋅、鈦中的任一種以上。
9.如權利要求8所述的電子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的金屬使用銦、錫中的任一種以上。
10.如權利要求1所述的電子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的金屬氧化物是銦氧化物、錫氧化物、銦錫氧化物、鋅氧化物、銦鋅氧化物、鈦氧化物及在這些氧化物中的任一種中摻雜金屬而形成的氧化物中的任一種。
11.如權利要求10所述的電子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A中所含的金屬氧化物是銦氧化物、錫氧化物、銦錫氧化物中的任一種。
12.如權利要求1所述的電子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液B中所含的有機物為發光材料。
13.如權利要求1所述的電子器件的制造方法,其特征在于,上述涂布液A和涂布液B中使用的溶劑為有機溶劑。
14.如權利要求1所述的電子器件的制造方法,其特征在于,上述電子器件是有機電致發光元件。
15.如權利要求1所述的電子器件的制造方法,其特征在于上述電子器件是有機薄膜太陽能電池。
16.一種涂布液,是適合于形成電子器件的1個含有有機物的層的涂布液,其特征在于,含有有機物及金屬和/或金屬氧化物,所述有機物由有機半導體材料構成,并且該有機物的含量相對于溶劑以外的固形物的重量,為20重量%~80重量%。
17.一種涂布液,是適合于形成電子器件的1個含有有機物的層的涂布液,其特征在于,含有有機物及金屬和/或金屬氧化物,所述有機物由空穴注入材料或空穴輸送材料或具有這兩種材料的功能的空穴注入輸送材料構成,并且該有機物的含量相對于溶劑以外的固形物的重量為20重量%~80重量%。
18.一種涂布液,是適合于形成電子器件的1個含有有機物的層的涂布液,其特征在于,含有有機物及金屬和/或金屬氧化物,所述有機物由電子注入材料或電子輸送材料或具有這兩種材料的功能的電子注入輸送材料構成,并且該有機物的含量相對于溶劑以外的固形物的重量,為20重量%~80重量%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





