[發明專利]半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 200710196629.8
• 申請日: 2007-11-29
• 公開（公告）號: CN101241836A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 金本啟
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/20;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/84
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體裝置的制造方法，包括：

在半導體基板的整個面的表層部上形成氧化膜的工序；

從所述半導體基板的有源面側有選擇地除去所述氧化膜，以形成窗部，使構成所述半導體基板的基板半導體層露出到所述窗部內的工序；

形成覆蓋露出到所述窗部內的所述基板半導體層且蝕刻選擇比大于所述基板半導體層的第一半導體層的工序；

形成覆蓋所述第一半導體層且蝕刻選擇比小于所述第一半導體層的第二半導體層的工序；

將與利用所述第二半導體層的一部分形成的元件區域部鄰接且位于夾持所述元件區域部的區域內的、所述第二半導體層及所述第一半導體層除去并開口，形成使所述基板半導體層露出的支撐體孔的工序；

以覆蓋所述元件區域部且將所述支撐體孔的至少一部分掩埋的方式，在所述半導體基板的有源面側形成支撐體的工序；

以所述支撐體為掩模，對所述第二半導體層及所述第一半導體層進行蝕刻，形成使所述支撐體下部的所述第一半導體層的端部至少一部分露出的端部露出面的工序；

形成所述端部露出面后，除去所述氧化膜的至少一部分，以使所述基板半導體層露出，形成基板半導體層露出面的工序；

通過濕蝕刻除去所述支撐體下部的所述第一半導體層的工序；

利用熱氧化，向通過所述濕蝕刻而得到的空洞部內填充氧化膜的工序；

至少從所述元件區域部上除去所述支撐體，使所述第二半導體層露出的工序；和

在所述第二半導體層上形成半導體裝置的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

形成所述基板半導體層露出面的工序包括：用抗蝕劑覆蓋所述半導體基板的有源面側的處理；和在該狀態下進行濕蝕刻，除去所述氧化膜的至少一部分，使所述基板半導體層露出的處理。

3.一種半導體裝置的制造方法，包括：

在半導體基板的整個面的表層部上形成氧化膜的工序；

從所述半導體基板的有源面側有選擇地除去所述氧化膜，以形成窗部，使構成所述半導體基板的基板半導體層露出到所述窗部內的工序；

形成覆蓋露出到所述窗部內的所述基板半導體層且蝕刻選擇比大于所述基板半導體層的第一半導體層的工序；

形成覆蓋所述第一半導體層且蝕刻選擇比小于所述第一半導體層的第二半導體層的工序；

形成覆蓋所述第二半導體層且與所述第二半導體層之間獲得蝕刻選擇比的保護層的工序；

將與利用所述第二半導體層的一部分形成的元件區域部鄰接且位于夾持所述元件區域部的區域內的、所述保護層和所述第二半導體層以及所述第一半導體層除去并開口，形成使所述基板半導體層露出的支撐體孔的工序；

以覆蓋所述元件區域部且將所述支撐體孔的至少一部分掩埋的方式，在所述半導體基板的有源面側形成與所述保護層之間獲得蝕刻選擇比的支撐體的工序；

以所述支撐體為掩模，對所述保護層、所述第一半導體層及所述第二半導體層進行蝕刻，形成使所述支撐體下部的所述第一半導體層的端部至少一部分露出的端部露出面的工序；

形成所述端部露出面后，除去所述氧化膜的至少一部分，以使所述基板半導體層露出，形成基板半導體層露出面的工序；

通過濕蝕刻除去所述支撐體下部的所述第一半導體層的工序；

利用熱氧化，向通過所述濕蝕刻而得到的空洞部內填充氧化膜的工序；

至少從所述元件區域部上除去所述支撐體，使所述保護層露出的工序；

蝕刻所述保護層，使所述第二半導體層露出的工序；和

在所述第二半導體層上形成半導體裝置的工序。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述保護層由氮化硅構成。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在形成所述基板半導體層露出面的工序中，除去所述半導體基板的、所述有源面的相反側的面的氧化膜，使基板半導體層露出。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在形成所述基板半導體層露出面的工序中，通過對所述半導體基板的、所述有源面的相反側的面進行干蝕刻，除去所述相反側的面的氧化膜，使基板半導體層露出。