[發明專利]固態成像裝置無效
| 申請號: | 200710196479.0 | 申請日: | 2007-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN101202295A | 公開(公告)日: | 2008-06-18 |
| 發明(設計)人: | 上村圣 | 申請(專利權)人: | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/148 | 分類號: | H01L27/148;H04N5/335 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 朱進桂 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 裝置 | ||
1.一種固態成像裝置,包括:
像素陣列,包括沿電荷轉移方向布置的多個光接收元件,所述多個光接收元件把光信號轉換為電信號;
設置在所述像素陣列的每一側上的第一電荷轉移單元和第二電荷轉移單元,用于把從像素陣列輸入的信號電荷沿所述電荷轉移方向進行轉移;
第一浮置擴散區,與第一電荷轉移單元相連;
第二浮置擴散區,與第二電荷轉移單元相連;
配線層,把第一浮置擴散區與第二浮置擴散區相連;以及
連接至所述配線層的輸出電路,根據第一浮置擴散區和第二浮置擴散區的電勢,輸出信號電壓。
2.根據權利要求1所述的固態成像裝置,還包括:
復位漏極;以及
被設置在第一浮置擴散區和所述復位漏極之間的復位柵極。
3.根據權利要求2所述的固態成像裝置,其中,所述復位漏極和所述復位柵極分別是第一復位漏極和第一復位柵極,并且所述固態成像裝置還包括第二復位漏極以及被設置在第二浮置擴散區和第二復位漏極之間的第二復位柵極。
4.一種固態成像裝置,包括:
沿與電荷轉移方向垂直的方向設置的多個像素;
第一和第二電荷轉移單元,分別設置在所述多個像素的第一和第二側上,并把從所述多個像素輸入的信號電荷沿電荷轉移方向進行轉移;
第一和第二浮置擴散區,分別與第一和第二電荷轉移單元相連;
配線層,把第一和第二浮置擴散區相連;以及
與所述配線層相連的單一輸出電路,根據第一浮置擴散區和第二浮置擴散區的電勢,輸出信號電壓。
5.根據權利要求4所述的固態成像裝置,還包括:
復位漏極;以及
被設置在第一浮置擴散區和所述復位漏極之間的復位柵極。
6.根據權利要求5所述的固態成像裝置,其中,所述復位漏極和所述復位柵極分別是第一復位漏極和第一復位柵極,并且所述固態成像裝置還包括第二復位漏極以及被設置在第二浮置擴散區和第二復位漏極之間的第二復位柵極。
7.一種固態成像裝置,包括:
第一浮置擴散區;
第一電荷轉移單元;
第一輸出柵極,設置在第一浮置擴散區和第一電荷轉移單元之間;
第二浮置擴散區;
第二電荷轉移單元;
第二輸出柵極,設置在第二浮置擴散區和第二電荷轉移單元之間;以及
配線層,把第一浮置擴散區和第二浮置擴散區彼此相連。
8.根據權利要求7所述的固態成像裝置,還包括與所述配線層相連的輸出電路。
9.根據權利要求8所述的固態成像裝置,還包括:
復位漏極;以及
被設置在第一浮置擴散區和所述復位漏極之間的復位柵極。
10.根據權利要求9所述的固態成像裝置,其中,所述復位漏極和所述復位柵極分別是第一復位漏極和第一復位柵極,并且所述固態成像裝置還包括第二復位漏極以及被設置在第二浮置擴散區和第二復位漏極之間的第二復位柵極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





