[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200710194851.4
• 申請日: 2007-11-27
• 公開（公告）號: CN101197314A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 李太榮
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1.一種方法，包括：

在半導體襯底之上順序形成第一刻蝕終止層、第一絕緣層以及第二刻蝕終止層；

形成多個第一絕緣層圖案；

在所述多個第一絕緣層圖案之間的間隙中形成第二絕緣層；以及

在所述多個第一絕緣層圖案的每個中形成鑲嵌式通孔。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括在形成所述第二絕緣層之后，在所述半導體襯底之上執行化學機械拋光以暴露所述第二刻蝕終止層的頂表面。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻蝕終止層和所述第二刻蝕終止層由相同材料組成。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一刻蝕終止層和所述第二刻蝕終止層包括氮化物層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一絕緣層包括氧化物基材料。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述氧化物基材料包括氟化硅酸鹽玻璃基電介質材料。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二絕緣層包括低k基材料。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述低k基材料包括SiOC基電介質材料。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二絕緣層使用聚合物上旋涂涂覆形成來填充所述多個第一絕緣層圖案之間的間隙。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述多個第一絕緣層圖案是通過在所述第二刻蝕終止層和所述第一絕緣層上執行第一刻蝕工藝來完成，以及形成所述鑲嵌式通孔是通過在所述多個第一絕緣層圖案上執行第二刻蝕來完成。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一刻蝕和第二刻蝕使用相同刻蝕方法完成。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一刻蝕和第二刻蝕使用反應性離子刻蝕完成。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一刻蝕使用指定的光刻膠圖案以暴露所述第一刻蝕終止層的頂表面。

14.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底具有下部結構。

15.一種器件，包括：

在半導體襯底之上局部形成的相互隔開的多個低k電介質圖案；以及

在所述多個低k電介質圖案之間的區域中形成的鑲嵌式通孔。

16.根據權利要求15所述的器件，其特征在于，所述鑲嵌式通孔構造為具有雙鑲嵌式結構。

17.根據權利要求16所述的器件，其特征在于，所述其中形成有鑲嵌式通孔的每個區域包括氧化物基材料。

18.根據權利要求17所述的器件，其特征在于，所述其中形成有鑲嵌式通孔的每個區域包括氟化硅酸鹽玻璃基電介質材料。

19.根據權利要求15所述的器件，其特征在于，所述多個低k電介質圖案包括SiOC基電介質材料。