[發明專利]Butler矩陣的實現方法無效
| 申請號: | 200710187780.5 | 申請日: | 2007-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN101227216A | 公開(公告)日: | 2008-07-23 |
| 發明(設計)人: | 許玉峰 | 申請(專利權)人: | TenXc無線有限公司 |
| 主分類號: | H04B7/04 | 分類號: | H04B7/04;H04L1/06 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 褚海英;武玉琴 |
| 地址: | 加拿大*** | 國省代碼: | 加拿大;CA |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | butler 矩陣 實現 方法 | ||
1.一種用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,所述平面結構具有用于接受相應輸入RF信號的多個波束端口,以及用于向相應多個天線單元生成相干輸出信號的多個單元端口,其中,響應于至少一個輸入RF信號,所述多個天線單元中的每一個處的輸出信號之間的相位關系可以生成至少一個相應天線波束圖形,
所述單元端口和波束端口由混合單元和多個移相器單元組成的網絡互相連接,
其中,所述波束端口處于所述結構的內部。
2.根據權利要求1所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,所述結構使得其各個單元之間的連接件的長度最小。
3.根據權利要求1所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其特征在于,在其各個單元之間沒有任何交叉點。
4.根據權利要求1所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,所述波束端口共同彼此靠近。
5.根據權利要求1所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,第一對波束端口可以連接到第一共同輸入。
6.根據權利要求5所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,第一對波束端口由它們之間的短連接件連接。
7.根據權利要求6所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,輸入短線從所述短線連接件的中點伸出,并且適配于和第一共同輸入相連接。
8.根據權利要求5所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,第二對波束端口可以連接到第二共同輸入。
9.根據權利要求1所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,多個波束端口的數量為4。
10.根據權利要求1所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,多個單元端口的數量為4。
11.根據權利要求1所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,多個移相器單元中的至少一個將經過它的信號延遲45°。
12.根據權利要求11所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,多個移相器單元中的至少一個包括連接件,所述連接件的長度超出對應的傳導路徑的長度為工作波長的1/8。
13.根據權利要求12所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,多個移相器單元的數量是2。
14.根據權利要求1所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,多個混合單元中的至少一個具有2個輸入。
15.根據權利要求14所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,多個混合單元中的至少一個具有2個輸出。
16.根據權利要求1所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,所述輸出中的一個將進入第一輸入的信號延遲90°。
17.根據權利要求16所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,所述輸出信號中的一個低于所述輸入6dB。
18.根據權利要求1所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,所述輸出中的一個將進入第二輸入的信號延遲180°。
19.根據權利要求1所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,所述輸出中的一個低于所述輸入信號6dB。
20.根據權利要求1所述的用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,多個混合單元的數量是4。
21.根據權利要求1所述的用于4×4Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,所述結構蝕刻在印刷電路板上。
22.根據權利要求21所述的用于4×4Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,所述結構蝕刻為單層。
23.根據權利要求1所述的用于4×4Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,其中,所述結構采用的結構技術選自包括帶線和微帶的結構技術。
24.一種用于Butler矩陣波束形成網絡的平面結構,所述結構具有用于接受相應輸入RF信號的多個波束端口,以及用于向相應多個天線單元生成相干輸出信號的多個單元端口,其中,響應于至少一個輸入RF信號,在多個天線單元中的每一個處的輸出信號之間的相位關系可以生成至少一個相應的天線波束圖形,
所述單元端口和波束端口由混合單元和多個移相器單元組成的網絡互相連接,
其中,所述網絡包括所述結構,
其中,所述波束端口處于所述結構的內部。
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