[發明專利]包括刷新操作的電阻式存儲器

有效

• 申請號: 200710187514.2
• 申請日: 2007-11-21
• 公開（公告）號: CN101188141A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 托馬斯·哈普;揚·鮑里斯·菲利普
• 申請（專利權）人: 奇夢達北美公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;G11C11/06
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余剛;尚志峰

1.一種存儲裝置，包括：

電阻式存儲單元陣列；

計數器，具有基于溫度的增量步長；以及

電路，用于響應于所述計數器超過預置值來刷新所述存儲單元。

2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，響應于所述存儲裝置的每個時鐘周期，所述計數器遞增。

3.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，響應于所述存儲裝置的每次讀訪問，所述計數器遞增。

4.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，所述計數器的增量步長包括第一溫度下的第一步長和比所述第一溫度高的第二溫度下的大于所述第一步長的第二步長。

5.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，所述電阻式存儲單元陣列包括多比特電阻式存儲單元陣列。

6.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，所述電阻式存儲單元陣列包括相變存儲單元陣列。

7.根據權利要求1所述的存儲裝置，其中，所述電路位于與所述電阻式存儲單元陣列相同的芯片上。

8.一種存儲裝置，包括：

電阻式存儲單元陣列；

計數器，被配置為用于響應于所述存儲裝置的每個時鐘周期以及響應于所述存儲裝置的每次讀訪問而遞增；以及電路，用于響應于所述計數器超過預置值來刷新所述陣列中的存儲單元。

9.根據權利要求8所述的存儲裝置，其中，對于每個時鐘周期的所述計數器的第一增量步長響應于所述存儲裝置的溫度而改變，以及對于每次讀訪問的所述計數器的第二增量步長響應于所述溫度而改變。

10.根據權利要求9所述的存儲裝置，其中，所述第一增量步長包括第一溫度下的第一步長和比所述第一溫度高的第二溫度下的大于所述第一步長的第二步長。

11.根據權利要求9所述的存儲裝置，其中，所述第二增量步長包括第一溫度下的第一步長和比所述第一溫度高的第二溫度下的大于所述第一步長的第二步長。

12.根據權利要求8所述的存儲裝置，其中，所述電阻式存儲單元陣列包括多比特電阻式存儲單元陣列。

13.根據權利要求8所述的存儲裝置，其中，所述電阻式存儲單元陣列包括相變存儲單元陣列。

14.一種存儲裝置，包括：

電阻式存儲單元陣列；

第一計數器，被配置為用于響應于所述存儲裝置的每次讀訪問而遞增；以及

電路，被配置為用于響應于所述第一計數器超過第一預置值來刷新所述陣列中的存儲單元。

15.根據權利要求14所述的存儲裝置，還包括：

第二計數器，被配置為用于響應于所述存儲裝置的每個時鐘周期而遞增，

其中，所述電路被配置為用于響應于所述第二計數器超過第二預置值而刷新所述陣列中的存儲單元。

16.根據權利要求15所述的存儲裝置，其中，所述第一計數器的第一增量步長響應于所述存儲裝置的溫度而改變，以及所述第二計數器的第二增量步長響應于所述溫度而改變。

17.根據權利要求16所述的存儲裝置，其中，所述第一增量步長包括第一溫度下的第一步長和比所述第一溫度高的第二溫度下的大于所述第一步長的第二步長。

18.根據權利要求16所述的存儲裝置，其中，所述第二增量步長包括第一溫度下的第一步長和比所述第一溫度高的第二溫度下的大于所述第一步長的第二步長。

19.根據權利要求15所述的存儲裝置，其中，所述電阻式存儲單元陣列包括多比特電阻式存儲單元陣列。

20.根據權利要求15所述的存儲裝置，其中，所述電阻式存儲單元陣列包括相變存儲單元陣列。

21.一種用于刷新存儲器的方法，所述方法包括：

基于所述存儲器溫度將計數器遞增一個步長；以及

響應于所述計數器超過預置值來刷新所述存儲器的電阻式存儲單元。

22.根據權利要求21所述的方法，其中，遞增所述計數器包括響應于所述存儲器的每個時鐘周期來遞增所述計數器。