[發(fā)明專利]碳基材料、電子發(fā)射源及其制備方法以及電子發(fā)射裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710187400.8 | 申請(qǐng)日： | 2007-11-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101231927A | 公開（公告）日： | 2008-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙晟希 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星SDI株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01J1/30 | 分類號(hào)： | H01J1/30;C01B31/00;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 韓明星;安宇宏 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基材 電子 發(fā)射 及其 制備 方法 以及 裝置 | ||
1.一種用于電子發(fā)射源的碳基材料，所述碳基材料具有從由h2與h1之比＜1.3和FWHM2與FWHM1之比＞1.2組成的組中選擇的至少一種特性，其中，在通過輻射波長為488±10nm、514.5±10nm、633±10nm或785±10nm的激光束獲得的拉曼光譜中，h2表示第二峰的相對(duì)強(qiáng)度，第二峰是在1350±20cm-1的拉曼位移范圍內(nèi)的峰，h1表示第一峰的相對(duì)強(qiáng)度，第一峰是在1580±20cm-1的拉曼位移范圍內(nèi)的峰，F(xiàn)WHM2表示第二峰的半峰全寬，F(xiàn)WHM1表示第一峰的半峰全寬。
2.如權(quán)利要求1所述的碳基材料，其中，h2與h1之比小于1.3。
3.如權(quán)利要求1所述的碳基材料，其中，F(xiàn)WHM2與FWHM1之比大于1.2。
4.如權(quán)利要求1所述的碳基材料，其中，h2與h1之比小于1.3，并且FWHM2與FWHM1之比大于1.2。
5.如權(quán)利要求1所述的碳基材料，其中，0.03≤h2與h1之比≤0.56。
6.如權(quán)利要求1所述的碳基材料，其中，1.3≤FWHM2與FWHM1之比≤2.0。
7.一種電子發(fā)射源，包含：
碳基材料，具有從由h2與h1之比＜1.3和FWHM2與FWHM1之比＞1.2組成的組中選擇的至少一種特性，其中，在通過輻射波長為488±10nm、514.5±10nm、633±10nm或785±10nm的激光束獲得的拉曼光譜中，h2表示第二峰的相對(duì)強(qiáng)度，第二峰是在1350±20cm-1的拉曼位移范圍內(nèi)的峰，h1表示第一峰的相對(duì)強(qiáng)度，第一峰是在1580±20cm-1的拉曼位移范圍內(nèi)的峰，F(xiàn)WHM2表示第二峰的半峰全寬，F(xiàn)WHM1表示第一峰的半峰全寬。
8.如權(quán)利要求7所述的電子發(fā)射源，其中，h2與h1之比小于1.3。
9.如權(quán)利要求7所述的電子發(fā)射源，其中，F(xiàn)WHM2與FWHM1之比大于1.2。
10.如權(quán)利要求7所述的電子發(fā)射源，其中，h2與h1之比小于1.3，并且FWHM2與FWHM1之比大于1.2。
11.如權(quán)利要求8所述的電子發(fā)射源，其中，0.03≤h2與h1之比≤0.56。
12.如權(quán)利要求8所述的電子發(fā)射源，其中，1.3≤FWHM2與FWHM1之比≤2.0。
13.一種電子發(fā)射裝置，包括：
基底；
陰極，形成在基底上，陰極具有電子發(fā)射源孔；
柵電極，與陰極電絕緣；
絕緣層，置于陰極和柵電極之間，并使陰極與柵電極絕緣；
電子發(fā)射源，位于電子發(fā)射源孔中并電連接到陰極，電子發(fā)射源包含碳基材料，碳基材料具有從由h2與h1之比＜1.3和FWHM2與FWHM1之比＞1.2組成的組中選擇的至少一種特性，其中，在通過輻射波長為488±10nm、514.5±10nm、633±10nm或785±10nm的激光束獲得的拉曼光譜中，h2表示第二峰的相對(duì)強(qiáng)度，第二峰是在1350±20cm-1的拉曼位移范圍內(nèi)的峰，h1表示第一峰的相對(duì)強(qiáng)度，第一峰是在1580±20cm-1的拉曼位移范圍內(nèi)的峰，F(xiàn)WHM2表示第二峰的半峰全寬，F(xiàn)WHM1表示第一峰的半峰全寬；
磷光體層，面對(duì)電子發(fā)射源。
14.如權(quán)利要求13所述的電子發(fā)射裝置，其中，h2與h1之比小于1.3。
15.如權(quán)利要求13所述的電子發(fā)射裝置，其中，F(xiàn)WHM2與FWHM1之比大于1.2。
16.如權(quán)利要求13所述的電子發(fā)射裝置，其中，h2與h1之比小于1.3，并且FWHM2與FWHM1之比大于1.2。
17.如權(quán)利要求13所述的電子發(fā)射裝置，其中，0.03≤h2與h1之比≤0.56。
18.如權(quán)利要求13所述的電子發(fā)射裝置，其中，1.3≤FWHM2與FWHM1之比≤2.0。
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