[發明專利]改善表面的方法

有效

• 申請號: 200710186828.0
• 申請日: 2007-11-22
• 公開（公告）號: CN101192510A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發明（設計）人: W·林
• 申請（專利權）人: S.O.I.TEC絕緣體上硅技術公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 戈泊

1.一種改善半導體襯底(1、10、11)表面(6)的方法，所述表面(6)至少由部分硅構成，所述方法包括：

沉積步驟，其包括在所述的半導體襯底(1、10、11)表面(6)上的至少一個孔(7、17、37、47)中進行選擇外延沉積；

蝕刻步驟，該步驟在沉積步驟前應用于半導體襯底表面(6)上，所述蝕刻步驟包括蝕刻除去半導體襯底(1、10、11)表面(6)上的至少一個缺陷(2)，以形成表面(6)上的至少一個孔(7、17、37、47)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述的沉積步驟包括硅在所?述的孔(7、17、37、47)的至少部分邊壁(20、21)上選擇性生長。

3.根據上述權利要求任一項的方法，其中所述的沉積步驟至少進行到至少一個孔(7、17、37、47)用硅堵塞。

4.根據上述權利要求任一項的方法，其中所述的沉積步驟至少進行到至少一個孔(7、17、37、47)用硅填滿。

5.根據上述權利要求任一項的方法，其中所述的沉積步驟包括用HF-浸漬來蝕刻除去所述的半導體結構(1、10、11)表面(6)上的含有缺陷(2)的氧化物。

6.根據上述權利要求任一項的方法，其中所述的選擇性外延沉積蝕刻劑和含氣體的硅被用作源氣。

7.根據上述權利要求任一項的方法，其中所述蝕刻劑是HCl，以及所述的含氣體的硅是SiH₂Cl₂。

8.根據上述權利要求任一項的方法，其中在沉積步驟中硅沉積厚度(t₂)至少為表面(6)上的孔(7、17、37、47)的直徑(w)的一半。

9.根據上述權利要求任一項的方法，其中在沉積步驟之前，在約650℃對半導體結構(1、10、11)進行H₂焙燒。

10.根據上述權利要求任一項的方法，其中所述的沉積步驟在約750℃下進行。

11.根據上述權利要求任一項的方法，其中所述的沉積步驟在約20至約80托下進行。

12.根據上述權利要求任一項的方法，其中半導體襯底(1、10、11)表面上的硅的厚度(t₁、t₂、t₁+t₂)在所述的沉積步驟之前和/或之后進行縮減。

13.根據上述權利要求任一項的方法，其中所述的表面(6)包括硅合金。

14.根據上述權利要求任一項的方法，其中所述的表面(6)包括SiGe。