[發明專利]用于提升保存能力的雙穩態阻抗隨機存取存儲器結構

有效

• 申請號: 200710186747.0
• 申請日: 2007-11-16
• 公開（公告）號: CN101183681A
• 公開（公告）日: 2008-05-21
• 發明（設計）人: 何家驊;賴二琨;謝光宇
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00;G11C11/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云

1.一種存儲結構，包括：

第一電極與導電部；

下介電部，覆蓋該導電部，該下介電部具有多個側邊；

阻抗存儲部，覆蓋該下介電部，該阻抗存儲部具有多個側邊，其基本上對齊該下介電部的側邊；以及

上介電質，位于該第一電極下方，該上介電質實質覆蓋該阻抗存儲部的側邊以及該下介電部的側邊。

2.一種存儲結構，包括：

第一電極與一導電部；

阻抗存儲部，位于該第一電極與該導電部之間；以及

下介電部，覆蓋該阻抗存儲部，該下介電部可提升該阻抗存儲部的數據保存能力。

3.如權利要求2所述的存儲結構，其中該第一電極具有尺寸值d₁，該阻抗存儲部具有尺寸值d₂，該下介電部具有尺寸值d₃，這些尺寸值d₁、d₂、d₃大約相等，且沿相同方向投影。

4.如權利要求2所述的存儲結構，其中該第一電極具有尺寸值d₁，該阻抗存儲部具有尺寸值d₂，該下介電部具有尺寸值d₃，該尺寸值d₁、d₂大約相等，尺寸值d₃大于尺寸值d₂。

5.如權利要求2所述的存儲結構，其中該第一電極具有尺寸值d₁，該阻抗存儲部具有尺寸值d₂，該下介電部具有尺寸值d₃，該尺寸值d₂、d₃大約相等，尺寸值d₁大于尺寸值d₂和d₃，且尺寸值d₁、d₂、d₃沿相同方向投影。

6.如權利要求2所述的存儲結構，其中該下介電部的厚度大約10nm或更薄。

7.如權利要求2所述的存儲結構，其中該下介電部包括氧化硅。

8.如權利要求2所述的存儲結構，其中該下介電部是以等離子體增強型化學氣相沉積工藝形成。

9.如權利要求2所述的存儲結構，其中該下介電部是以高密度等離子體化學氣相沉積工藝形成。

10.如權利要求2所述的存儲結構，其中該導電部包括接觸窗插塞。

11.如權利要求2所述的存儲結構，其中該導電部包括下電極。

12.如權利要求2所述的存儲結構，其中該阻抗存儲部包括以下兩元素化合其中之一：Ni_xO_y；Ti_xO_y；Al_xO_y；W_xO_y；Zn_xO_y；Zr_xO_y；Cu_xO_y，其中x∶y＝0.5∶0.5。

13.如權利要求2所述的存儲結構，其中該阻抗存儲部包括以下兩元素化合其中之一：Ni_xO_y；Ti_xO_y；Al_xO_y；W_xO_y；Zn_xO_y；Zr_xO_y；Cu_xO_y，其中x：0～1；y：0～1。

14.如權利要求2所述的存儲結構，其中該阻抗存儲部包括摻雜金屬的金屬氧化物Al:ZnO以及Al:ZrO。

15.一存儲結構，包括：

第一電極與導電部；

上介電部，位于該第一電極下方；

下介電部，覆蓋該導電部；以及

阻抗存儲部，位于該上介電部和該下介電部、該第一電極和該導電部之間；

其中該下介電部可提升該阻抗存儲部的數據保存能力。