[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 200710186404.4
• 申請日: 2007-11-16
• 公開（公告）號: CN101183645A
• 公開（公告）日: 2008-05-21
• 發明（設計）人: 南部英高
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/768
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 關兆輝;陸錦華

1.一種半導體器件的制造方法，該半導體器件具有第一絕緣層和配置在其上的第二絕緣層，該方法包括：

在第一蝕刻條件下，蝕刻所述第二絕緣層而不暴露所述第一絕緣層；以及

在與所述第一蝕刻條件不同的第二蝕刻條件下，蝕刻留在所述第一絕緣層上的殘余的所述第二絕緣層和所述第一絕緣層。

2.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中所述第二蝕刻條件對于所述第一和第二絕緣層不具備蝕刻選擇性。

3.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中所述第一蝕刻步驟中的蝕刻時間不短于蝕刻所述第二絕緣層到最后所需的蝕刻時間的60％而不長于90％。

4.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中所述殘余的所述第二絕緣層的厚度不小于所述第二絕緣層的總厚度的10％而不大于40％。

5.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中與第一蝕刻條件相比，所述第二蝕刻條件下的氧氣流速更大。

6.如權利要求5的半導體器件的制造方法，其中所述第二蝕刻條件中的氧氣混合比不低于0.4％但不高于2.6％。

7.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中與所述第一蝕刻條件相比，第二蝕刻條件下的上電極功率更高。

8.如權利要求7的半導體器件的制造方法，其中所述第二蝕刻條件下的上電極功率不低于1300W但不高于2200W。

9.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中所述第二絕緣層的介電常數高于所述第一絕緣層的介電常數。

10.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中所述第一絕緣層是低k介電層。

11.如權利要求10的半導體器件的制造方法，其中所述第一絕緣層由SiOC制成。

12.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中所述第二絕緣層由SiO₂，SiC，SiCN，SiN或者BCB制成。

13.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中在所述第一和第二絕緣層之間不插入蝕刻停止層。

14.如權利要求1的所述半導體器件的制造方法，其中所述第一和第二蝕刻步驟作為雙大馬士革工藝的一部分來執行。

15.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中在所述第一條件下：

利用不低于30mTorr但不高于60mTorr的壓力，使用了主要包含CH₄-nFn的氣體，其中n是等于或者小于4的自然數，

上電極功率不低于200W但不高于600W，

其偏置輸出不低于700W但不高于1300W，以及

Ar的流速不低于0.91/min(900sccm)但不高于1.81/min(1800sccm)。

16.如權利要求1的半導體器件的制造方法，其中在所述第二條件下：

利用不低于30mTorr但不高于60mTorr的壓力，使用主要包含CH₄-nFn的氣體，其中n是等于或者小于4的自然數，

上電極功率不低于1300W但不高于2200W，

其偏置輸出不低于600W但不高于1200W，以及

Ar的流速不低于0.21/min(200sccm)但不高于0.61/min(600sccm)。

17.一種半導體器件的制造方法，包括：

形成第一絕緣層以及在第一絕緣層上的第二絕緣層；

在第一條件下執行蝕刻工藝，以在第二絕緣層中做孔，所述孔具有小于第二絕緣層厚度的深度，從而使得部分第二絕緣層介于第一孔和第一絕緣層之間；以及

在第二條件下執行蝕刻工藝，以去除部分第二絕緣層并在第一絕緣層中做第二孔，所述第二條件與所述第一條件不同。

18.如權利要求17的方法，其中所述第一和第二孔的尺寸大致上彼此相等。

19.如權利要求17的方法，其中所述第一和第二絕緣層的材料彼此不同。