[發(fā)明專利]密封裝置和利用該密封裝置制造顯示裝置的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710180978.0 | 申請日: | 2007-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN101179032A | 公開(公告)日: | 2008-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李鐘禹;金兌承;樸峻永;郭源奎 | 申請(專利權(quán))人: | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 韓明星;邱玲 |
| 地址: | 韓國京畿道*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 密封 裝置 利用 制造 顯示裝置 方法 | ||
1.一種密封裝置,所述密封裝置通過沿著第一基底和第二基底的邊緣設(shè)置密封材料并且通過對密封材料照射光來結(jié)合第一基底和第二基底,所述密封裝置包括:
掩模,設(shè)置在第二基底上,并且包括與密封材料對應(yīng)形成的透射部分,其中,第二基底堆疊在第一基底上;
光頭,通過掩模的透射部分對密封材料照射光,
其中,掩模的透射部分包括用于調(diào)節(jié)對密封材料照射的光的多個圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封裝置,其中,掩模的透射部分包括具有不同透射率的圖案的多個區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的密封裝置,其中,多個圖案與密封材料的至少一部分對齊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的密封裝置,其中,通過多個圖案來控制密封材料上的光的能量分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封裝置,其中,透射部分包括:第一區(qū)域,位于透射部分的中心部分;第二區(qū)域,位于第一區(qū)域的兩側(cè),其中,第一區(qū)域和第二區(qū)域中的圖案的透射率不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的密封裝置,其中,第一區(qū)域中的圖案的透射率低于第二區(qū)域中的圖案的透射率。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的密封裝置,其中,所述圖案包括多條不透明的線,其中,通過所述圖案的不透明的線的密度來控制透射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封裝置,其中,透射部分包括位于一側(cè)的第一區(qū)域和位于另一側(cè)的第二區(qū)域,第一區(qū)域和第二區(qū)域中的圖案的透射率不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封裝置,其中,透射部分包括位于中心部分處的第一區(qū)域、設(shè)置在第一區(qū)域的兩側(cè)的第二區(qū)域以及設(shè)置在第二區(qū)域的兩個外側(cè)的第三區(qū)域,其中,第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中的圖案的透射率不同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的密封裝置,其中,第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域包括線形圖案,所述線形圖案包括多條不透明的線,其中,通過所述線形圖案的不透明的線的密度來控制透射率。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封裝置,其中,所述光包括激光和紅外線中的一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封裝置,還包括臺,密封材料設(shè)置在其間的第一基底和第二基底安裝在臺上。
13.一種制造顯示裝置的方法,所述顯示裝置具有第一基底、第二基底和密封材料,所述方法包括以下步驟:
對掩模照射光;
調(diào)節(jié)對設(shè)置在第一基底和第二基底之間的密封材料照射的光的能量分布;
將密封材料結(jié)合到第一基底和第二基底。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中,調(diào)節(jié)所述光的能量分布的步驟包括使光穿過具有透射部分的掩模。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,透射部分包括具有不同透射率的圖案的多個區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,透射部分包括:第一區(qū)域,位于透射部分的中心部分;第二區(qū)域,位于第一區(qū)域的兩側(cè),其中,第一區(qū)域和第二區(qū)域中的圖案的透射率不同。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,第一區(qū)域中的圖案的透射率低于第二區(qū)域中的圖案的透射率。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,透射部分包括位于一側(cè)的第一區(qū)域和位于另一側(cè)的第二區(qū)域,第一區(qū)域和第二區(qū)域中的圖案的透射率不同。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,透射部分包括位于中心部分處的第一區(qū)域、設(shè)置在第一區(qū)域的兩側(cè)的第二區(qū)域以及設(shè)置在第二區(qū)域的兩個外側(cè)的第三區(qū)域,其中,第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中的圖案的透射率不同。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中,第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域包括線形圖案,所述線形圖案包括多條不透明的線,其中,通過所述線形圖案的不透明的線的密度來控制透射率。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,所述光包括激光和紅外線。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,顯示裝置包括有機發(fā)光顯示裝置。
23.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,在照射光之前還包括以下步驟:
通過將第一基底和第二基底設(shè)置為彼此相對并且使密封材料位于第一基底和第二基底之間來將第一基底和第二基底安裝在臺上;
放置掩模,在掩模中,在與形成的密封材料對應(yīng)的多個部分處形成透射部分,在透射部分形成多個圖案。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





