[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制法、電子儀器的制法和半導(dǎo)體制造裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710180102.6 | 申請日: | 2007-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN101162687A | 公開(公告)日: | 2008-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 佐藤充;宇都宮純夫 | 申請(專利權(quán))人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/324 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 制法 電子儀器 制造 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,包括:
在基板上形成第一膜的步驟;
通過用以氫和氧的混合氣體為燃料的氣體噴燃器的火焰對所述第一膜進行掃描,從而進行熱處理的步驟;
所述氣體噴燃器的火焰為大致直線狀。
2.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,包括:
在基板上形成第一膜的步驟;
通過用以氫和氧的混合氣體為燃料的氣體噴燃器的火焰對所述第一膜進行掃描,從而進行熱處理的步驟;
所述氣體噴燃器的火焰是排列為大致直線狀的多個火焰,在所述基板上相鄰的所述火焰重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
通過改變所述氣體噴燃器和所述基板的距離,從而調(diào)整所述火焰的重疊。
4.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,包括:
在基板上形成第一膜的步驟;
通過用以氫和氧的混合氣體為燃料、每隔一定間隔排列為大致直線狀的多個火焰對所述第一膜進行掃描,從而進行熱處理的步驟;
實施所述熱處理的步驟具有:
用所述多個火焰在第一方向上進行掃描的第一步驟;
使所述多個火焰在與所述第一方向正交的第二方向上移動所述一定間隔的1/2的距離后,在所述第一方向上進行掃描的第二步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
所述第一步驟是所述多個火焰從所述基板的第一端部一側(cè)開始掃描的步驟,
所述第二步驟是所述多個火焰從與所述第一端部相反一側(cè)的第二端部開始掃描的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中的任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
所述第一膜是半導(dǎo)體膜,通過所述的熱處理,進行所述半導(dǎo)體膜的再結(jié)晶。
7.一種電子儀器的制造方法,
具有權(quán)利要求1~6中的任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
8.一種半導(dǎo)體制造裝置,包括:
氫和氧的混合氣體供給部;
氣體噴燃器,其燃燒所述氫和氧的混合氣體,以形成火焰;和
移動機構(gòu),其使基板在與所述氣體噴燃器的火焰正交的方向上移動;
所述氣體噴燃器導(dǎo)出所述氫和氧的混合氣體,從大致直線狀的開口部放射火焰。
9.一種半導(dǎo)體制造裝置,包括:
氫和氧的混合氣體供給部;
氣體噴燃器,其燃燒所述氫和氧的混合氣體,以形成火焰;和
移動機構(gòu),其使基板在與所述氣體噴燃器的火焰正交的方向上移動;
所述氣體噴燃器導(dǎo)出所述氫和氧的混合氣體,從以一定間距形成大致直線狀的多個開口部放射多個火焰。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造裝置,其特征在于,
在多個火焰之下包含具有大致直線狀的開口部的噴嘴部,
所述多個火焰通過所述開口部而被放射。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造裝置,其特征在于,
所述移動機構(gòu)控制為能在第一方向和與所述第一方向正交的第二方向上移動。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





