[發(fā)明專利]用BaCeO3摻雜提高YBaCuO超導(dǎo)體性能的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710178442.5 | 申請(qǐng)日: | 2007-11-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101450859A | 公開(公告)日: | 2009-06-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 肖玲;焦玉磊;鄭明輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京有色金屬研究總院 |
| 主分類號(hào): | C04B35/45 | 分類號(hào): | C04B35/45;H01B12/00 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 程鳳儒 |
| 地址: | 10008*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | baceo sub 摻雜 提高 ybacuo 超導(dǎo)體 性能 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種通過納米顆粒摻雜提高釔鋇銅氧(YBaCuO)超導(dǎo)塊材性能的方法。
背景技術(shù)
YBaCuO超導(dǎo)塊的成份以YBa2Cu3O7-y超導(dǎo)相(123相)為主,添加一定量的Y2BaCuO5-x非超導(dǎo)相(211相)。添加非超導(dǎo)的211相的主要目的是防止單疇超導(dǎo)塊生長過程中液相的流失。YBaCuO超導(dǎo)塊通過包晶反應(yīng)生成c軸擇優(yōu)取向的晶體結(jié)構(gòu),最終產(chǎn)物中具有大量顆粒狀的211相被俘獲在層狀123相基體中的特征。大量工藝研究的結(jié)果證實(shí),細(xì)小的211相顆粒彌散分布在123相基體中可以增加超導(dǎo)材料的磁通釘扎能力,從而提高超導(dǎo)材料的性能。通常細(xì)化211相顆粒的方法是在YBaCuO的先驅(qū)粉末中摻雜0.2wt%~0.5wt%的鉑粉(Pt)。由于Pt是價(jià)格昂貴的貴金屬元素,Pt的摻雜增加了YBaCuO超導(dǎo)塊的成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用BaCeO3摻雜提高YBaCuO超導(dǎo)體性能的方法,可以進(jìn)一步細(xì)化單疇YBaCuO超導(dǎo)塊中211顆粒,從而提高超導(dǎo)材料臨界電流密度。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取以下技術(shù)方案:
一種用BaCeO3摻雜提高YBaCuO超導(dǎo)體性能的方法,將平均粒度為1nm~100nm的BaCeO3粉末加入Y1.8Ba2.4Cu3.4Oy粉末中,經(jīng)球磨混合均勻后,用單軸模壓成型,再采用頂部籽晶輔助熔融織構(gòu)生長工藝(TSMTG)生成單疇結(jié)構(gòu)的YBaCuO超導(dǎo)塊,其中,BaCeO3粉末加入量為Y1.8Ba2.4Cu3.4Oy粉末的0.25wt%~1.00wt%。
本發(fā)明所采用的球磨混合、單軸模壓成型、頂部籽晶輔助熔融織構(gòu)生長工藝(TSMTG)均為公知工藝。
采用頂部籽晶輔助熔融織構(gòu)生長工藝(TSMTG),其中,TSMTG是頂部籽晶輔助熔融織構(gòu)生長工藝英文Top?Seeded?Melt?Textured?Growth的縮寫。本發(fā)明采用納米數(shù)量級(jí)粒度的BaCeO3替代Pt摻雜在YBaCuO先驅(qū)粉中,采用頂部籽晶輔助熔融織構(gòu)生長工藝(TSMTG)的工藝參數(shù)沒有變化。
使用微米數(shù)量級(jí)粒度的BaCeO3替代Pt可以取得良好的效果,有細(xì)化211相顆粒和提高性能的作用,但總體效果不如Pt。納米級(jí)粒度即平均粒度為1nm~100nm的BaCeO3摻雜在YBaCuO先驅(qū)粉中制備單疇YBaCuO超導(dǎo)塊,可以進(jìn)一步細(xì)化211相顆粒從而進(jìn)一步提高超導(dǎo)塊的性能。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)為:本發(fā)明用納米粒度的BaCeO3摻雜在YBaCuO先驅(qū)粉中,摻雜量為0.25wt%~1.00wt%。用其制備的單疇YBaCuO超導(dǎo)塊的臨界電流密度均高于未摻雜的單疇YBaCuO超導(dǎo)塊。摻雜量為0.50wt%的超導(dǎo)塊的臨界電流密度達(dá)到了摻雜0.2wt%貴金屬Pt樣品的同等水平。
附圖說明
圖1為不同含量BaCeO3摻雜樣品(A、B、C)的臨界電流Jc與磁場B的關(guān)系及其與未摻雜樣品D和摻Pt樣品E的比較圖。
具體實(shí)施方式
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