[發明專利]層間電容器的形成方法

有效

• 申請號: 200710173566.4
• 申請日: 2007-12-28
• 公開（公告）號: CN101197256A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 顧學強
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈蘅

1.一種層間電容器的形成方法，其特征是，包括：

于一電容器下極板形成后，淀積一刻蝕阻擋層和一層間介質膜；

通過刻蝕，于層間介質膜中形成一電容器極板溝槽，其中該電容器極板溝槽穿過層間介質膜而止于刻蝕阻擋層并暴露出部分刻蝕阻擋層，以所暴露出的刻蝕阻擋層作為電容器介質；

于該電容器極板溝槽內形成一電容器上極板。

2.根據權利要求1所述的層間電容器的形成方法，其特征是，其中上述電容器上極板為一單層結構，其與一金屬連線形成于同一金屬層。

3.根據權利要求1所述的層間電容器的形成方法，其特征是，其中上述電容器上極板為一雙層結構，其第一層形成于一接觸孔填充層，其第二層與一金屬連線形成于同一金屬層。

4.根據權利要求1所述的層間電容器的形成方法，其特征是，其中上述層間電容器為多晶硅金屬層間電容器。

5.一種層間電容器的形成方法，其特征是，包括以下步驟：

于一基底上形成一柵極和一電容器下極板；

淀積一刻蝕阻擋層；

淀積一層間介質膜；

于層間介質膜和刻蝕阻擋層中形成至少一接觸孔，其中上述接觸孔穿過層間介質膜和刻蝕阻擋層；

淀積一接觸孔填充層；

保留接觸孔內的接觸孔填充層，去除其余接觸孔填充層；

于層間介質膜中形成一電容器極板溝槽，其中該電容器極板溝槽穿過層間介質膜而止于刻蝕阻擋層并暴露出部分刻蝕阻擋層，以所暴露出的刻蝕阻擋層作為電容器介質；

淀積一金屬層于上述帶有通孔和電容器極板溝槽的層間介質膜；

保留通孔上方的金屬層與電容器極板溝槽內的金屬層，而刻蝕掉金屬層的其他部分，以同時形成至少一金屬連線和一電容器上極板，

其中通孔上方剩余的金屬層為該金屬連線，電容器極板溝槽內剩余的金屬層為該電容器上極板。

6.根據權利要求5所述的層間電容器的形成方法，其特征是，其中上述層間電容器為多晶硅金屬層間電容器。

7.根據權利要求5所述的層間電容器的形成方法，其特征是，其中一上述接觸孔連接上述金屬連線與柵極。

8.根據權利要求5所述的層間電容器的形成方法，其特征是，其中一上述接觸孔連接上述金屬連線與電容器下極板。

9.根據權利要求5所述的層間電容器的形成方法，其特征是，其中上述電容器上極板為由上述金屬層所形成的單層結構。

10.根據權利要求5所述的層間電容器的形成方法，其特征是，還包括：

在淀積上述接觸孔填充層之前，淀積一阻擋層。

11.根據權利要求5所述的層間電容器的形成方法，其特征是，其中上述接觸孔填充層的材質為鎢。

12.根據權利要求11所述的層間電容器的形成方法，其特征是，其中在上述去除其余接觸孔填充層的過程中，是采用鎢的化學機械拋光而去除其余接觸孔填充層。

13.一種層間電容器的形成方法，其特征是，包括以下步驟：

于一基底上形成一柵極和一電容器下極板；

淀積一刻蝕阻擋層；

淀積一層間介質膜；

于層間介質膜中形成一電容器極板溝槽，其中該電容器極板溝槽穿過層間介質膜而止于刻蝕阻擋層并暴露出部分刻蝕阻擋層，以所暴露出的刻蝕阻擋層作為電容器介質；

于層間介質膜和刻蝕阻擋層中形成至少一接觸孔，其中上述接觸孔穿過層間介質膜和刻蝕阻擋層；

淀積一接觸孔填充層；

保留接觸孔內和電容器極板溝槽內的接觸孔填充層，去除其余接觸孔填充層，其中電容器極板溝槽內剩余的接觸孔填充層為電容器上極板第一層；

淀積一金屬層于上述帶有通孔和電容器極板溝槽的層間介質膜；

保留通孔上方的金屬層與電容器極板溝槽內的金屬層，而刻蝕掉金屬層的其他部分，以同時形成至少一金屬連線和一電容器上極板第二層，

其中通孔上方剩余的金屬層為該金屬連線，電容器極板溝槽內剩余的金屬層為該電容器上極板第二層。

14.根據權利要求13所述的層間電容器的形成方法，其特征是，其中上述層間電容器為多晶硅金屬層間電容器。