[發明專利]閃存及其制造方法

無效

• 申請號: 200710170368.2
• 申請日: 2007-11-15
• 公開（公告）號: CN101207035A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 李惠圣
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L29/51;H01L29/78;H01L29/788;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1.一種方法，包括：

在半導體襯底上方形成第一氧化膜；

在所述第一氧化膜上方形成金屬薄膜；

在所述金屬薄膜上方形成光刻膠圖案；

使用所述光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述金屬薄膜，并且形成金屬薄膜圖案；

形成含有所述金屬薄膜圖案的第二氧化膜；以及

熱處理所述第一和第二氧化膜并且使用金屬氧化物結晶化處理所述金屬薄膜圖案。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻膠圖案是負性光刻膠組成的負性光刻膠圖案。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬薄膜包含鎳、鈦和鈷中的至少其中之一。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬薄膜具有在約40到60之間范圍的厚度。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬薄膜具有在約100到500之間范圍的直徑。

6.一種裝置，包括：

半導體襯底；

形成于所述半導體襯底上方的第一氧化膜；

形成于所述第一氧化膜上方并且含有多個金屬氧化物晶體的第二氧化膜；以及

形成于所述第二氧化膜上方的柵極。

7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述金屬氧化物晶體包含鎳、鈦和鈷中的至少其中之一。

8.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述每一個金屬氧化物晶體都具有100到500之間范圍的直徑。

9.一種方法，包括：

在半導體襯底中形成器件絕緣薄膜和源/漏區；

在所述半導體襯底上方形成第一氧化膜；

在所述第一氧化膜上方形成金屬薄膜；

在所述金屬薄膜上方涂覆光刻膠薄膜；

形成光刻膠圖案；

利用所述光刻膠圖案作為掩模，形成具有點圖案的金屬薄膜圖案；

去除所述光刻膠圖案；

在所述第一氧化膜上方形成第二氧化膜；

熱處理所述第一氧化膜和所述第二氧化膜；

在所述第二氧化膜內形成多個金屬氧化物晶體；以及

在所述第二氧化層上方形成柵極。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一氧化膜具有約60到100之間范圍的厚度。

11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述金屬薄膜包含鎳、鈦和鈷中的至少一種。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述金屬薄膜具有約40到60之間范圍內的厚度。

13.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，形成光刻膠圖案包含曝光并投射所述光刻膠薄膜。

14.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述光刻膠圖案包含離子注入。

15.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述金屬薄膜圖案基本是圓形的。

16.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二氧化膜包含金屬薄膜圖案。

17.根據權利要求16所述的方法，其特征在于，形成所述多個金屬氧化物晶體包含氧化所述第一氧化膜和含有所述金屬薄膜圖案的所述第二氧化膜。

18.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述柵極包含浮動柵。