[發明專利]一種鐵電存儲器用鐵電薄膜電容及其制備方法

無效

• 申請號: 200710168367.4
• 申請日: 2007-11-16
• 公開（公告）號: CN101159271A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發明（設計）人: 于軍;李佳;李建軍;楊斌;王耘波;高俊雄;周文利
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/02
• 代理公司: 華中科技大學專利中心
• 代理人: 曹葆青

1.一種鐵電存儲器用鐵電薄膜電容，依次包括硅基底(1)、二氧化硅阻擋層(2)、二氧化鈦粘結層(3)、底電極金屬層(4)、鐵電薄膜層(6)和頂電極金屬層(7)；其特征在于：在底電極金屬層(4)與鐵電薄膜層(6)之間還設置有緩沖層(5)，緩沖層(5)的材料為TiO₂，厚度為10-30nm。

2.一種制備鐵電存儲器用鐵電薄膜電容的方法，包括以下步驟：

①將硅基底進行表面處理和清洗；

②采用熱氧化法，在硅基底表面生成二氧化硅阻擋層；

③在二氧化硅阻擋層上制備二氧化鈦粘結層；

④在二氧化鈦粘結層上制備底電極金屬層；

⑤采用磁控濺射法在底電極金屬層上制備10-30nm厚度的TiO₂緩沖層，濺射工藝條件為：濺射氣壓1～3Pa，濺射基片溫度為200-400℃，濺射氣氛為O₂和Ar的混合氣體；

⑥采用溶膠-凝膠法在TiO₂緩沖層上制備配置鐵電薄膜層；

⑦對鐵電薄膜層進行退火處理；

⑧采用磁控濺射法在鐵電薄膜層上制備頂電極金屬層，制得鐵電薄膜電容。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于：步驟⑤中，濺射工藝條件為：濺射氣壓1.5Pa，濺射基片溫度為200℃，濺射氣氛為O₂∶Ar＝1∶9。