[發(fā)明專利]等離子處理裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710168160.7
• 申請日: 2005-11-15
• 公開（公告）號: CN101203087A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發(fā)明（設計）人: 申寅澈;張圣基;金兌昱;柳炅昊;鄭修然
• 申請（專利權）人: K.C.科技股份有限公司
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24;H01L21/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李香蘭

本申請是申請?zhí)枺?00510125306.0、申請日：2005年11月15日、發(fā)明名稱“等離子電極構造、等離子源及利用它的等離子處理裝置”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發(fā)明涉及等離子(plasma)處理裝置，更具體來說，涉及可提高等離子密度的均勻性，并可適用于最近基板大型化的趨勢的等離子電極構造及其電極制造方法、電極冷卻方法。

另外，涉及利用上述等離子電極構造的等離子源及等離子處理裝置、以及其控制方法。

背景技術

一般，生產(chǎn)TFT?LCD、PDP、OLED等FPD及半導體元件等的過程中必然經(jīng)過基板的清洗工序。

以往的基板的清洗工序使用了濕式工序，但最近，多使用作為干式清潔技術的等離子技術。

圖1是表示利用一般的等離子源130的清洗裝置100的圖面。

如圖1所示，利用等離子源130的清洗裝置100由等離子源130、電源供給裝置140、氣體供給裝置120、和移送裝置160構成，所述等離子源130向清洗對象即LCD玻璃(glass)150的表面噴射氧基，所述電源供給裝置140向上述等離子源130施加交流電壓，所述氣體供給裝置120通過與上述等離子源130連接的配管供給氮氣、氧氣、空氣等氣體，所述移送裝置160在等離子源130實施等離子常壓放電時將LCD玻璃150以一定的速度向一方向移送。

如果觀察這樣的清洗裝置100中的清洗過程，則可知如下所述地實現(xiàn)清洗，即：形成在LCD玻璃150的下部的移送裝置160將清洗對象即LCD玻璃150以一定的速度向一方向移送，而此時形成在上部的等離子源130向LCD玻璃150的表面實施等離子常壓放電。

此時，在上述清洗裝置100中，上述等離子源130和向其供給電源的電源供給裝置140通過高壓線連接。

此時，電源供給裝置140產(chǎn)生的電壓是峰值為1kv～40kv左右的高壓，而且由于高壓線露出在外部環(huán)境，因此，經(jīng)常由于露出而存在電安全事故的危險。

另外，在內(nèi)置方式的工序中，經(jīng)常發(fā)生非等離子源130的異常的氣體裝置的異常、或由于工序上的原因臨時中斷LCD玻璃150的移送的情況，而此時不僅需要停止移送裝置160，而且不得不關閉等離子源130。

如果根據(jù)這樣的需要，關閉等離子源130，則一旦關閉后打開需要穩(wěn)定化時間，另外，存在發(fā)揮本身性能之前需要數(shù)分鐘的時間上的損失，費用上的損失。

圖2a至圖2d是表示圖1中圖示的等離子源200的圖面。

圖2a是等離子源200的俯視圖，圖2b是圖2a中圖示的等離子源200的示意側面剖視圖。

如圖2a及圖2b所示，以往的等離子源200在兩側面具有從氣體供給裝置供給氣體的氣體供給端口200a、200b、200c、200d、200e、200f、200g、200h總共8個。

另外，通過總共8個氣體供給端口200a、200b、200c、200d、200e、200f、200g、200h流入的氣體填滿等離子源200的主體，而其上部具有氣體分配器(gas?distributor)210，使上述流入的氣體在等離子源內(nèi)部分布均勻。

另外，在氣體分配器210的下部具有通過電介質(zhì)的充電及放電而產(chǎn)生等離子的上/下部電介質(zhì)220、230。

另外，為了在上/下部電介質(zhì)220、230上施加交流電壓，在上部電介質(zhì)220上及下部電介質(zhì)230的下部面分別形成上部電極(未圖示)、和下部電極(未圖示)。

如果觀察這樣構成的等離子源200中的被流入的氣體的流動路徑及基板清洗過程，則如下所述。

即，首先通過總共8個的氣體供給端口流入的氣體暫時填滿等離子源主體的上部緩沖層240，之后，儲存于上部緩沖層240的氣體通過形成在氣體分配器210的中央的第1氣體流入口211、212流入到下部緩沖層250。

之后，流入到下部緩沖層250的氣體通過形成在上部電介質(zhì)220的兩側面的第2氣體流入口221、222流入到隔壁電介質(zhì)空間260而產(chǎn)生等離子，而產(chǎn)生的等離子通過形成在下部電介質(zhì)上的流出口231被噴射，而清洗LCD玻璃270上的有機物280。

此時，實際上為形成氣體密度的均勻性而作為緩沖區(qū)域發(fā)揮緩沖層的作用的，只不過為下部緩沖層250，流入到隔壁電介質(zhì)空間260的氣體的密度反而相比只存在一個緩沖層時下降，存在氣體流動的移動上發(fā)生湍流(turbulent?flow)的問題。

圖2c是對圖2b中圖示的等離子源200中的電極構造詳細顯示的剖視圖。