[發明專利]具有鍍通結構的裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200710167241.5
• 申請日: 2007-10-30
• 公開（公告）號: CN101150087A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發明（設計）人: 王維中;鄭博仁;楊學安;陳佩君
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/60;H01L23/522;H01L23/485
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所
• 代理人: 翟羽;田興中

1.一種具有鍍通結構的裝置的制造方法，其特在于包含下列步驟：

提供一基材；

形成一種子金屬層于該基材上；

形成一圖案化金屬線路層于該種子金屬層上；

形成一正型顯影的光阻層于該圖案化金屬線路層及該種子金屬層上；

圖案化該光阻層，用以定義至少一貫穿孔曝露出部份該圖案化金屬線路層，其中該貫穿孔具有一預定深寬比；

電鍍一金屬材料于該貫穿孔中，以形成一金屬柱，其中該金屬柱具有一頂面；

移除該光阻層；

蝕刻掉部分該種子金屬層，使該圖案化金屬線路層的線路彼此電性隔離；以及

形成一介電材料層于該基材上，并包覆該圖案化金屬線路層及部分該金屬柱，并裸露出該金屬柱的該頂面。

2.一種具有鍍通結構的裝置的制造方法，其特在于：包含下列步驟：

提供一基材，具有若干個接墊；

形成一金屬層于該基材上，并電性連接至該接墊；

形成一正型顯影的光阻層于該金屬層上；

圖案化該光阻層，用以定義至少一貫穿孔曝露出部份該金屬層，其中該貫穿孔具有一預定深寬比；

電鍍一金屬材料于該貫穿孔中，以形成一金屬柱，其中該金屬柱具有一頂面；

移除該光阻層；

蝕刻掉部分該金屬層，以形成一金屬線路層，并使該些接墊彼此電性隔離；以及

形成一介電材料層于該基材上，并包覆該金屬層及部分該金屬柱，并裸露出該金屬柱的頂面。

3.如權利要求1或2所述的制造方法，其特在于：其另包含將該介電材料層蝕刻至一預定厚度，用以裸露出該金屬柱的頂面的步驟。

4.如權利要求3所述的制造方法，其特在于：該介電材料層的蝕刻步驟是通過一氧氣電漿制程而進行。

5.如權利要求1或2所述的制造方法，其特在于：該預定深寬比介于0.167與2之間。

6.如權利要求2所述的制造方法，其特在于：該貫穿孔對應于該些接墊的位置。

7.一種具有鍍通結構的裝置，其特征在于：其包括一基材、一種子金屬層、一金屬線路層、一金屬柱及一介電材料層；該種子金屬層，配置于該基材上；該金屬線路層，配置于該種子金屬層上；該金屬柱，配置于該金屬線路層上，并具有一頂面；該介電材料層，用以包覆該金屬線路層及部分該金屬柱，并裸露出該金屬柱的頂面，其中該金屬柱的深寬比介于0.167與2之間。

8.一種具有鍍通結構的裝置，其特征在于：其包含一基材、一金屬線路層、一金屬柱、一介電材料層；該基材具有若干個接墊；該金屬線路層配置于該基材上，并電性連接至該接墊；該金屬柱配置于該金屬線路層上，并具有一頂面；該介電材料層，用以包覆該金屬線路層及部分該金屬柱，并裸露出該金屬柱的頂面，其中該金屬柱的深寬比介于0.167與2之間。

9.如權利要求7或8所述的裝置，其特征在于：該介電材料層為非感旋光性高分子材料層。

10.如權利要求9所述的裝置，其特征在于：該高分子材料為苯環丁烯(Benzocyclobutene；BCB)或聚亞酰胺(polyimide；PI)。

11.如權利要求7或8所述的裝置，其特征在于：該介電材料層具有一低介電系值，其小于3.5。

12.如權利要求7或8所述的裝置，其特征在于：該介電材料層為感旋光性介電材料層。

13.如權利要求12所述的裝置，其特征在于：該感旋光性介電材料層為負型顯影的高分子材料所制。

14.如權利要求13所述的裝置，其特征在于：該負型顯影的高分子材料為苯環丁烯(Benzocyclobutene；BCB)或聚亞酰胺(polyimide；PI)。

15.如權利要求12所述的裝置，其特征在于：該感旋光性介電材料層為正型顯影的高分子材料所制。

16.如權利要求7或8所述的裝置，其特征在于：該裝置為一半導體裝置，且該基材為一硅基材。