[發明專利]多芯片堆疊的封裝結構

有效

• 申請號: 200710165730.7
• 申請日: 2007-11-06
• 公開（公告）號: CN101431067A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發明（設計）人: 沈更新;陳煜仁
• 申請（專利權）人: 南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/367;H01L23/31
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種多芯片堆疊的封裝結構，其特征在于包括：

一導線架，具有一上表面及一下表面，由多個內引腳與多個外引腳所構成，所述內引腳包括有多個平行的第一內引腳群與平行的第二內引腳群，且所述第一內引腳群與所述第二內引腳群的末端是以一間隔相對排列的，其中于所述第一內引腳群與所述第二內引腳群的接近中央區域，各配置一散熱鰭片；

一第一芯片，固接于該導線架的下表面，該第一芯片具有一有源面且于該有源面上接近中央區域配置有多個第一焊墊；

多條第一金屬導線，用以將該第一芯片的該有源面上的所述第一焊墊電性連接至所述第一內引腳群之上表面及所述第二內引腳群；

一對金屬間隔組件，每一該金屬間隔組件配置于該導線架的散熱鰭片之上，其中該金屬間隔組件的高度大于所述第一金屬導線的最大弧高；

一高分子材料層，充填于所述第一內引腳群與所述第二內引腳群的末端的間隔區中，并覆蓋該第一芯片中的所述第一焊墊以及所述第一金屬導線；

一第二芯片，具有一有源面及一相對該有源面之背面，該背面固接于該高分子材料層之上并與該金屬間隔組件接觸，且該第二芯片的該有源面上接近中央區域配置有多個第二焊墊；

多條第二金屬導線，用以將該第二芯片的該有源面上的所述第二焊墊電性連接至所述第一內引腳群及所述第二內引腳群的該上表面；及

一封裝體，用以包覆該第一芯片、所述第一金屬導線、該第二芯片、所述第二金屬導線、所述第一內引腳群及所述第二內引腳群，且曝露出所述外引腳。

2.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：該導線架進一步配置有匯流條，且該匯流條設置在該導線架之所述內引腳之間且與所述內引腳平行。

3.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：該散熱鰭片的寬度大于所述內引腳。

4.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：所述每一該金屬間隔組件由多個金屬凸塊堆疊所形成。

5.如權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：所述第二金屬導線是使用逆打線方式形成。

6.一種多芯片堆疊的封裝結構，其特征在于包括：

一導線架，具有一上表面及一下表面，由多個內引腳與多個外引腳所構成，所述內引腳包括有多個平行的第一內引腳群與平行的第二內引腳群，且所述第一內引腳群與所述第二內引腳群的末端是以一間隔相對排列的，其中于所述第一內引腳群與所述第二內引腳群的接近中央區域，各配置一散熱鰭片；

一第一芯片，固接于該導線架的該下表面，該第一芯片具有一有源面且于該有源面上接近中央區域配置有多個第一焊墊；

多條第一金屬導線，用以將該第一芯片的該有源面上的所述第一焊墊電性連接至所述第一內引腳群的上表面及所述第二內引腳群；

一對金屬間隔組件，每一該金屬間隔組件配置于該導線架的該散熱鰭片之上，其中該金屬間隔組件的高度大于所述第一金屬導線的最大弧高；

一第二芯片，其具有一有源面且于該有源面上接近中央區域配置有多個第二焊墊，并于相對該有源面的背面上配置一粘著層，通過該粘著層固接于該導線架的上表面，其中該粘著層覆蓋所述第一金屬導線及所述金屬間隔組件，并且該第二芯片的該背面與所述金屬間隔組件接觸；

多條第二金屬導線，用以將所述第一內引腳群及所述第二內引腳群的該上表面電性連接至該第二芯片的該有源面上的所述第二焊墊；及

一封裝體，用以包覆該第一芯片、所述第一金屬導線、該第二芯片、所述第二金屬導線、所述第一內引腳群及所述第二內引腳群，且曝露出所述外引腳。

7.如權利要求6所述的封裝結構，其特征在于：該導線架進一步配置有匯流條，且該匯流條設置在該導線架之所述內引腳之間且與所述內引腳平行。

8.如權利要求6所述的封裝結構，其特征在于：該散熱鰭片的寬度大于所述內引腳。