[發明專利]圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200710161864.1
• 申請日: 2007-09-24
• 公開（公告）號: CN101266988A
• 公開（公告）日: 2008-09-17
• 發明（設計）人: 李玟炯
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/82
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種圖像傳感器，包括：

襯底，具有形成在其中的晶體管電路；

多個第一互連件，在所述襯底上彼此隔開，并通過多個下部互連件電連接到所述晶體管電路；

多個第一導電層，形成在所述多個第一互連件上；

多個絕緣層，在所述多個第一互連件之間被平坦化；

本征層，形成在包括所述多個絕緣層以及所述多個第一導電層的所述襯底上；以及

第二導電層，形成在所述本征層上。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述多個第一互連件包括能夠在低溫下被硅化的金屬層。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，進一步包括阻擋金屬，形成在所述多個第一互連件與所述多個下部互連件之間。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述多個第一導電層的頂面與所述多個絕緣層的頂面具有相同高度。

5.根據權利要求4所述的圖像傳感器，其中，所述多個第一導電層包含摻雜的非晶硅。

6.一種圖像傳感器的制造方法，包括：

在襯底上形成晶體管電路和多個下部互連件；

在所述襯底上形成彼此隔開、并經所述多個下部互連件電連接到所述晶體管電路的多個第一互連件；

在所述多個第一互連件上形成多個第一導電層；

在所述襯底上形成絕緣層；

平坦化所述絕緣層，以在所述多個第一互連件之間形成多個平坦化的絕緣層；

在所述多個平坦化的絕緣層以及所述多個第一導電層上形成本征層；以及

在所述本征層上形成第二導電層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，形成多個第一互連件包括：

在所述襯底上沉積金屬層；以及

用蝕刻掩模覆蓋所述金屬層位于所述多個下部互連件上的多個區域，蝕刻所述金屬層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述金屬層包括能在低溫下被硅化的金屬。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，平坦化所述絕緣層包括實施化學機械研磨。

10.根據權利要求6所述的方法，進一步包括，在形成所述多個第一互連件之前，在所述襯底上形成阻擋金屬，其中所述阻擋金屬形成在每個被隔開的第一互連件下面。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，形成所述阻擋金屬、形成所述多個第一互連件以及形成所述多個第一導電層包括：

在包括所述多個下部互連件的所述襯底上沉積阻擋金屬；

在所述阻擋金屬上沉積用于所述多個第一互連件的金屬層；

在所述金屬層上形成第一導電層；

在所述第一導電層上形成蝕刻掩模，使所述蝕刻掩模覆蓋所述第一導電層位于所述多個下部互連件上的多個區域；以及

使用所述蝕刻掩模蝕刻所述第一導電層、所述金屬層、以及所述阻擋金屬。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，形成所述第一導電層包括：在所述襯底上沉積摻雜的非晶硅層。

13.根據權利要求6所述的方法，其中，形成所述多個第一互連件和形成所述多個第一導電層包括：

在所述襯底上沉積金屬層；

在所述金屬層上形成第一導電層；

在所述第一導電層上形成蝕刻掩模，使所述蝕刻掩模覆蓋所述第一導電層位于所述多個下部互連件上的多個區域；以及

使用所述蝕刻掩模蝕刻所述第一導電層和所述金屬層。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，形成所述第一導電層包括：

在所述襯底上沉積摻雜的非晶硅。

15.根據權利要求6所述的方法，進一步包括，在平坦化所述絕緣層之后，清洗所述襯底。