[發明專利]制造半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 200710161372.2
• 申請日: 2007-09-28
• 公開（公告）號: CN101154598A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發明（設計）人: 小林研也;山本英雄;金子敦司;村瀨義光
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 王波波

1.一種制造半導體裝置的方法，包括：

在半導體層中形成溝槽；

在溝槽中形成柵電極；

在溝槽中的柵電極上形成熱氧化膜；

在溝槽中的熱氧化膜上形成硅酸鹽玻璃膜；

在半導體層中形成主體區域；以及

在主體區域上形成源區。

2.如權利要求1的制造半導體裝置的方法，其中通過在利用硅酸鹽玻璃覆蓋半導體層的表面和溝槽的內部之后進行回蝕刻以曝露半導體層的表面來形成硅酸鹽玻璃膜。

3.如權利要求1的制造半導體裝置的方法，其中熱氧化膜包括構成柵電極的多晶硅的熱氧化膜。

4.如權利要求3的制造半導體裝置的方法，其中多晶硅的熱氧化膜比形成于溝槽的側壁上的單晶硅的熱氧化膜厚。

5.如權利要求1的制造半導體裝置的方法，其中硅酸鹽玻璃膜包括BPSG和NSG的至少之一。

6.如權利要求1的制造半導體裝置的方法，其中通過被溝槽圍繞的每一個區域的縱向方上的主體接觸區域來劃分源區。

7.如權利要求1的制造半導體裝置的方法，其中在源區的表面上和硅酸鹽玻璃膜上形成源電極。