[發明專利]液晶顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200710160189.0
• 申請日: 2007-12-26
• 公開（公告）號: CN101470307A
• 公開（公告）日: 2009-07-01
• 發明（設計）人: 盧永信;陳昱廷
• 申請（專利權）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136;G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 王 英

技術領域

本發明涉及一種液晶顯示裝置及其制造方法，尤其涉及一種具有改善的耦合效應的液晶顯示裝置以及用五道光刻蝕刻工藝制作的方法。

背景技術

由于液晶顯示器(Liquid-Crystal?Display，LCD)具有體積小、輻射低等優點，所以液晶顯示器已成為市場上最常見的顯示器。

請參考圖1，圖1為公知的液晶顯示器的像素結構俯視圖。如圖1所示，公知的液晶顯示器的像素結構10由兩個相鄰的數據線12與個兩相鄰的掃描線14所定義。各像素結構10包括薄膜晶體管18、像素電極20以及共用電極22。請再參考圖2，并且參考圖1。圖2是圖1的液晶顯示器沿著AA’線的剖面示意圖，即為沿著數據線12剖面方向的剖面示意圖，其中圖2中示出了兩個相鄰的像素結構10的剖面示意圖。如圖2所示，公知的液晶顯示器包括第一襯底24、第二襯底32以及設置在第一襯底24與第二襯底32之間的液晶層34。第一襯底24上依次包括共用電極22、覆蓋在共用電極22與第一襯底24上的柵極絕緣層26、設置在柵極絕緣層26上的數據線12、覆蓋在數據線12和柵極絕緣層26上的保護層30，以及設置在保護層30上的像素電極20。第二襯底32包括黑色矩陣36，其設置在面對于第一襯底24的側邊。

對于各像素結構10而言，共用電極22與位于其上方的像素電極20構成儲存電容。另外，由于數據線12的兩側是漏光區，因此共用電極22除了作為儲存電容的下電極之外，還與第二襯底32上對應于數據線12的黑色矩陣36共同發揮遮蔽數據線12兩側的漏光區的作用。然而由于數據線12與像素電極20兩者之間會有耦合效應(Cpd，capacitance?between?pixel?and?data?line)，因此，若要避免像素電極20與數據線12間的耦合效應，就必須加大兩者間的距離，但隨著距離的增加，意味著數據線12兩側的漏光區將更為擴大，因而必須加大共用電極20與黑色矩陣36的寬度來遮蔽此漏光區。如此，將會影響開口率，特別是由于黑色矩陣36是設置在第二襯底32上，考慮到第一襯底24與第二襯底32的對位誤差，黑色矩陣36的寬度在設計上必須考慮此誤差而必須進步加寬，因而會導致像素結構的開口率的縮小。因此，如何在不影響開口率的前提下，減少像素電極與數據線間的耦合效應，已成為業界極力改善的課題。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種液晶顯示裝置及用五道光刻蝕刻工藝制造的方法，以改善公知技術的像素電極和數據線之間產生的耦合效應，并且提高液晶顯示裝置的開口率。

為實現上述目的，本發明提供一種液晶顯示裝置，其包括：襯底、設置在該襯底上的第一導電層、覆蓋該第一導電層的柵極絕緣層、設置在該柵極絕緣層上的第二導電層、覆蓋該第二導電層的保護層、設置在該保護層上的像素電極以及設置在該保護層上的連接導線。該第一導電層包括第一次數據線和柵極線，并且該第二導電層包括源極和不透明的共用電極，其中將該共用電極設置為對應于該第一次數據線。其中，源極的寬度大于柵極線的寬度。

為實現上述目的，本發明進一步提供一種液晶顯示裝置，其包括：襯底、設置在該襯底上的第一導電層、覆蓋該第一導電層的柵極絕緣層、設置在該柵極絕緣層上的第二導電層、覆蓋該第二導電層的保護層、設置在該保護層上的像素電極以及設置在該保護層上的連接導線。該第一導電層包括第一次數據線和柵極線，并且該第二導電層包括源極和不透明的共用電極，其中該像素電極部分地與該共用電極重疊。其中，源極的寬度大于柵極線的寬度。

為實現上述目的，本發明進一步提供一種制作液晶顯示裝置的方法，包括：提供襯底；進行第一光刻蝕刻工藝，在該襯底上形成第一次數據線、第二次數據線和柵極線；形成柵極絕緣層以覆蓋該襯底；進行第二光刻蝕刻工藝，在該柵極絕緣層上形成半導體層；進行第三光刻蝕刻工藝，在該柵極絕緣層上形成源極、漏極和不透明的共用電極；形成保護層，以覆蓋該襯底；進行第四光刻蝕刻工藝，在該保護層上形成第一穿孔與第二穿孔；以及，進行第五光刻蝕刻工藝，是該保護層上形成像素電極和連接導線。

本發明通過將數據線設置在第一導電層，進而加大數據線和像素電極之間的距離，并且將共用電極設置在第二導電層作為屏蔽，以降低數據線和像素電極之間的耦合效應，因而可以縮減各像素電極之間的距離，使液晶顯示裝置的開口率增加。本發明還提供只需五道光刻蝕刻工藝的步驟，以完成具有改善耦合效應的液晶顯示裝置。

附圖說明

圖1是公知的液晶顯示器的像素結構的俯視圖。

圖2是圖1的液晶顯示器沿著AA’線的剖面示意圖。