[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200710152912.0
• 申請日: 2007-09-21
• 公開（公告）號: CN101150105A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發明（設計）人: 田邊學;藤本博昭
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/49;H01L25/00;H01L25/065;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 沈昭坤

1.一種半導體器件，利用金屬細絲，電連接形成在半導體芯片的一個主面上的多個電極與配置在所述半導體芯片的周圍的多個導體部的內部端子，所述半導體芯片及金屬細絲被樹脂封裝，其特征在于，

在將所述半導體芯片的電極與所述導體部的內部端子連接、并且互相上下配置的多個金屬細絲中，最下面的金屬細絲的剛性最小。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

半導體芯片具有：配置在一個主面的外周部呈排列狀的第1電極、以及配置在比所述第1電極靠近所述一個主面的中心呈排列狀的至少一排的第2電極，

所述半導體芯片的第1電極與導體部的內部端子，利用第1金屬細絲連接，

所述半導體芯片的第2電極與所述導體部的內部端子，利用剛性大于所述第1金屬細絲的第2金屬細絲連接。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

將多個半導體芯片層疊，

最下層的半導體芯片的電極與導體部的內部端子，利用第1金屬細絲連接，

第2層以上的上層的半導體芯片的電極與所述導體部的內部端子，利用剛性大于所述第1金屬細絲的第2金屬細絲連接。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

將多個半導體芯片層疊，

最下層的半導體芯片的電極與導體部的內部端子，利用第1金屬細絲連接，

第2層以上的上層的半導體芯片的電極與所述導體部的內部端子、以及多個半導體芯片的電極的一部分彼此之間，利用剛性大于所述第1金屬細絲的第2金屬細絲連接。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

最下面位置的金屬細絲與其它的金屬細絲的剛性的不同，是基于各金屬材料的組成來實現的。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，

最下面位置的金屬細絲以金為主要成分，其它的金屬細絲以銅為主要成分。

7.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，

最下面位置的金屬細絲及其它金屬細絲以金為主要成分，而所述最下面位置的金屬細絲的含金率大于其它金屬細絲的含金率。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

最下面位置的金屬細絲的最上部的位置，低于其它的金屬細絲的最上部的位置。

9.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

在用最下面位置的金屬細絲連接的半導體芯片的電極的下方，形成電路元件。

10.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

多個導體部形成在裝載有半導體芯片的支持體上。

11.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

多個導體部排列在裝載有半導體芯片的支持體的周圍。

12.一種半導體器件的制造方法，具有以下工序：

將在一個主面上形成多個電極的半導體芯片安裝在支持體上的第1工序；

將安裝在所述支持體上的半導體芯片的多個電極與配置在該半導體芯片的周圍的多個導體部的內部端子，利用金屬細絲連接的第2工序；以及

將所述半導體芯片與所述金屬細絲進行樹脂封裝的第3工序，其特征在于，

在所述第2工序中，在互相上下配置的多個金屬細絲內，配置在最下面位置的金屬細絲使用剛性最小的金屬細絲進行連接，然后使用剛性更大的金屬細絲進行連接。

13.如權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，進行以下工序：

將具有配置在一個主面的外周部呈排列狀的第1電極、以及配置在比所述第1電極靠近所述一個主面的中心呈排列狀的至少一排的第2電極的半導體芯片安裝在支持體上的第1工序；

將所述半導體芯片的第1電極與該半導體芯片的周圍的多個導體部的內部端子利用第1金屬細絲連接，然后將所述半導體芯片的第2電極與多個導體部的內部端子利用剛性大于所述第1金屬細絲的第2金屬細絲連接的第2工序；以及

將所述半導體芯片與所述第1及第2金屬細絲進行樹脂封裝的第3工序。