[發明專利]通孔加工方法無效
| 申請號: | 200710149167.4 | 申請日: | 2007-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN101140879A | 公開(公告)日: | 2008-03-12 |
| 發明(設計)人: | 小林豊;能丸圭司;森數洋司 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/302 | 分類號: | H01L21/302;H01L21/60;B23K26/36 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人: | 黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加工 方法 | ||
1.一種通孔加工方法,在該通孔加工方法中,從基板背面側對晶片照射脈沖激光光線而形成到達焊盤的通孔,其中上述晶片在基板表面形成有多個器件,并且在器件上形成有焊盤,
將脈沖激光光線的每1脈沖的能量密度設定為如下的值,即,能對基板進行飛濺加工而不能對焊盤進行飛濺加工的值,
將脈沖激光光線的脈沖的時間間隔設定為150微秒以上。
2.根據權利要求1所述的通孔加工方法,其中,
將該脈沖激光光線的每1脈沖的能量密度設定為40~20J/cm2。
3.根據權利要求1或2所述的通孔加工方法,其中,
將該脈沖激光光線的脈沖的時間間隔設定為150~300微秒(μs)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





