[發明專利]光纖以及光纖裝置有效
| 申請號: | 200710145666.6 | 申請日: | 2007-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN101144872A | 公開(公告)日: | 2008-03-19 |
| 發明(設計)人: | 中西哲也;長谷川健美;平野正晃 | 申請(專利權)人: | 住友電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | G02B6/02 | 分類號: | G02B6/02;G02B1/00 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 | 代理人: | 顧紅霞;張天舒 |
| 地址: | 日本大阪*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光纖 以及 裝置 | ||
1.一種包括纖芯的光纖,所述纖芯由作為主要成分的SiO2構成并且含有濃度為15wt%或更高的Al2O3,
在預定波長下,所述光纖只允許傳播基模,并且色散的絕對值為5ps/nm/km或更小。
2.根據權利要求1所述的光纖,其中,
在所述預定波長下,所述光纖具有15μm2或更小的有效面積,并且具有比如下光纖大3dB或更多的受激布里淵散射閾值,即:包括由GeO2-SiO2玻璃構成的纖芯并且具有相似的折射率分布的光纖。
3.根據權利要求1所述的光纖,其中,
所述纖芯含有選自Ge、P、Ba、Pb、Ga、In和Tl中的一種或多種元素。
4.根據權利要求1所述的光纖,其中,
在1.55μm的波長下,所述光纖具有70dB/km或更小的傳輸損失。
5.根據權利要求1所述的光纖,其中,
所述光纖還包括:
凹陷區域,其包圍所述纖芯并相對于SiO2具有負的相對折射率差;以及
包層,其包圍所述凹陷區域并具有比所述凹陷區域大的折射率。
6.一種光纖裝置,所述光纖裝置包括具有纖芯的光纖,所述纖芯由作為主要成分的SiO2構成并且含有濃度為15wt%或更高的Al2O3,
所述光纖引導具有不同波長的第一光和第二光,從而使得所述第一光和所述第二光通過傳輸過程中的非線性光學現象而彼此相互作用,由此導致所述光纖輸出通過所述非線性光學現象調制的第一光或第二光、或者通過所述非線性光學現象新產生的具有不同波長的第三光。
7.根據權利要求6所述的光纖裝置,其中,
所述第一光和所述第二光中之一是待放大的光,所述第一光和所述第二光中的另一個是在1GHz或更低頻率下受到調制的抽運光,所述抽運光在所述光纖中將所述待放大的光放大。
8.根據權利要求6所述的光纖裝置,其中,
所述第一光和所述第二光中之一是待放大的光,所述第一光和所述第二光中的另一個是抽運光,所述抽運光在未受到調制的情況下入射到所述光纖中,從而在所述光纖中將所述待放大的光放大。
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