[發明專利]半導體裝置無效
| 申請號: | 200710143655.4 | 申請日: | 2007-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN101154661A | 公開(公告)日: | 2008-04-02 |
| 發明(設計)人: | 鈴木進也 | 申請(專利權)人: | 株式會社瑞薩科技 |
| 主分類號: | H01L27/04 | 分類號: | H01L27/04 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 王允方;劉國偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,其是包括在驅動器輸出電路中具有多個保護元件的LCD驅動器的半導體裝置,所述半導體裝置的特征在于,所述多個保護元件具有多個第1保護元件以及多個第2保護元件,所述第1保護元件包括第1p型半導體區域以及形成在所述第1p型半導體區域內的第1n型半導體區域,所述第2保護元件包括第2n型半導體區域以及形成在所述第2n型半導體區域內的第2p型半導體區域,所述第1保護元件以及所述第2保護元件分別各多個相鄰地配置,所述第1保護元件的第1n型半導體區域與所述第2保護元件的所述第2p型半導體區域電連接。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,所述第1保護元件和所述第2保護元件配置為同一直線狀。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,多個焊墊配置在所述第1保護元件或者所述第2保護元件上。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置,其特征在于,所述第1保護元件的所述第1n型半導體區域和所述第2保護元件的所述第2p型半導體區域與所述焊墊電連接。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,所述第1保護元件的所述第1n型半導體區域和所述第2保護元件的所述第2p型半導體區域與所述驅動器輸出電路的輸出電連接。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,所述驅動器輸出電路是源極驅動器。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,所述驅動器輸出電路是柵極驅動器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





