[發(fā)明專利]薄膜硅太陽能電池中的納米線

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710142488.1
• 申請(qǐng)日: 2007-08-27
• 公開（公告）號(hào): CN101136444A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: B·A·科列瓦爾;L·查卡拉科斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 主分類號(hào): H01L31/075
• 分類號(hào): H01L31/075;H01L31/0352
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 呂彩霞;韋欣華

1.包含下列元件的光伏器件：

a)以基本垂直的取向沉積在基底上的許多Si納米線，該Si納米線具有第一類摻雜；

b)共形地沉積在許多Si納米線上的無定形本征硅的第一共形Si層，使第一共形Si層有效地吸收大部分入射到光伏器件上的光；

c)共形地沉積在第一共形Si層上的第二共形Si層，該第二共形Si層具有第二類摻雜，從而形成電荷分離結(jié)；

d)沉積在第二共形Si層上的導(dǎo)電材料層；和

e)可供連接該器件與外電路操作的上、下接觸，其中下接觸與許多納米線電接觸，而上接觸與第二共形Si層電接觸。

2.權(quán)利要求1的光伏器件，還包含納米多孔模板，駐留在基底上或與基底成整體，而且Si納米線發(fā)射自該模板。

3.權(quán)利要求1的光伏器件，其中基底是透明的。

4.權(quán)利要求1的光伏器件，其中Si納米線是p-摻雜的。

5.權(quán)利要求1的光伏器件，其中第二共形Si層是n-摻雜的。

6.權(quán)利要求1的光伏器件，其中導(dǎo)電材料層是金屬，以及其中導(dǎo)電材料層的厚度為約50nm～約2μm。

7.權(quán)利要求1的光伏器件，其中導(dǎo)電材料層是透明的，以及其中導(dǎo)電材料層的厚度為約50nm～約200nm。

8.權(quán)利要求1的光伏器件，其中導(dǎo)電材料層提供上接觸。

9.制造光伏器件的方法，該方法包括下列步驟：

a)在基底上形成Si納米線，其中Si納米線基本垂直于表平面取向，以及其中Si納米線具有第一類摻雜。

b)在許多納米線上共形地沉積本征硅的第一共形Si層；

c)在第一共形硅層周圍沉積第二共形Si層，該第二共形Si層具有第二類摻雜，因而與Si納米線和第一共形Si層一起形成電荷分離結(jié)；

d)在第二共形Si層上沉積導(dǎo)電透明材料；和

e)形成可供連接器件與外電路操作的上、下接觸，其中下接觸與許多Si納米線電接觸，而上接觸與第二共形Si層電接觸。

10.包含至少一個(gè)權(quán)利要求1的光伏器件的太陽能電池板，其中所述太陽能電池板把這類器件與它們周圍的大氣環(huán)境隔開并能發(fā)電。