[發(fā)明專利]自對準(zhǔn)雙段襯墊及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710136408.1
• 申請日: 2007-07-16
• 公開（公告）號: CN101136371A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 托馬斯·W.·戴爾;方隼飛;閻江
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機器公司;英芬能技術(shù)北美公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/84;H01L27/092;H01L27/12
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 秦晨

1.一種形成覆蓋單襯底上的第一和第二組半導(dǎo)體器件的雙段襯墊的方法，該方法包括：

形成覆蓋所述第一組半導(dǎo)體器件的第一襯墊和在所述第一襯墊的頂部上的第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層具有平坦頂表面；

形成第二襯墊，所述第二襯墊具有覆蓋所述第一保護(hù)層的第一部分、過渡部分、以及覆蓋所述第二組半導(dǎo)體器件的第二部分，所述第二部分通過所述過渡部分與所述第一襯墊自對準(zhǔn)；

在所述第二襯墊的所述第二部分的頂部上形成第二保護(hù)層；

去除所述第二襯墊的所述第一部分以及所述過渡部分的至少一部分；以及

獲得包括所述第一襯墊、所述第二襯墊的所述過渡部分的一部分和所述第二部分的所述雙段襯墊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在所述第二襯墊的所述第二部分的頂部上形成所述第二保護(hù)層包括：

在所述第二襯墊的頂部上沉積所述第二保護(hù)層；以及

使所述第二保護(hù)層的頂表面凹進(jìn)，以暴露所述第二襯墊的所述第一部分和所述過渡部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中使所述第二保護(hù)層的所述頂表面凹進(jìn)包括應(yīng)用化學(xué)機械拋光(CMP)工藝以去除所述第二襯墊的所述第一部分和所述過渡部分的頂部上的所述第二保護(hù)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在所述第一襯墊的頂部上形成所述第一保護(hù)層包括：

在所述第一襯墊的頂部上沉積電介質(zhì)材料層；

平面化所述電介質(zhì)材料層的頂表面；以及

在所述電介質(zhì)材料層的頂部上沉積所述第一保護(hù)層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中平面化所述電介質(zhì)材料的所述頂表面包括應(yīng)用化學(xué)機械拋光(CMP)工藝以使所述電介質(zhì)材料的所述頂表面凹進(jìn)而與所述第一襯墊共面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中去除所述第二襯墊的所述第一部分以及所述過渡部分的至少一部分包括：

選擇性地刻蝕所述第二襯墊的所述第一部分和所述過渡部分；

監(jiān)測來自所述選擇性刻蝕的廢氣的內(nèi)含物水平；以及

繼續(xù)所述選擇性刻蝕直到所述廢氣的所述內(nèi)含物水平呈現(xiàn)變化。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，包括在所述內(nèi)含物水平呈現(xiàn)所述液滴之后繼續(xù)所述選擇性刻蝕至預(yù)先確定的時間，以去除小于且優(yōu)選地等于所述第一保護(hù)層的厚度的所述第二襯墊的所述過渡部分的至少一部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中所述選擇性刻蝕包括應(yīng)用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)工藝，其使用氣體混合物，以去除所述第二襯墊的所述第一部分以及所述過渡部分的所述至少一部分，所述氣體混合物包括CH₃F、CH₂F₂、CHF₃、CF₄、O₂、CO和Ar的一種或多種。

9.一種形成覆蓋單襯底上的第一和第二組半導(dǎo)體器件的雙段襯墊的方法，該方法包括：

形成覆蓋所述第一組半導(dǎo)體器件的第一襯墊和在所述第一襯墊的頂部上的第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層具有平坦頂表面；

形成第二襯墊，所述第二襯墊具有覆蓋所述第一保護(hù)層的第一部分、過渡部分、以及覆蓋所述第二組半導(dǎo)體器件的第二部分，所述第二部分通過所述過渡部分與所述第一襯墊自對準(zhǔn)；

在所述第二襯墊的頂部上形成第二保護(hù)層；

去除所述第二襯墊的所述第一部分以及所述過渡部分的至少一部分；以及

獲得包括所述第一襯墊、所述第二襯墊的所述過渡部分的一部分和所述第二部分的所述雙段襯墊。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中去除所述第二襯墊的所述第一部分以及所述過渡部分的所述至少一部分包括：

使所述第二保護(hù)層凹進(jìn)，以暴露所述第二襯墊的所述第一部分以及所述過渡部分；

非選擇性地刻蝕所述第二襯墊的所述第一部分和所述過渡部分以及所述第二襯墊的所述第二部分的頂部上的所述第二保護(hù)層；

監(jiān)測來自所述非選擇性刻蝕的廢氣的內(nèi)含物水平；以及

當(dāng)所述內(nèi)含物水平呈現(xiàn)變化模式時終止所述非選擇性刻蝕。