[發明專利]一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200710120169.0
• 申請日: 2007-08-10
• 公開（公告）號: CN101364016A
• 公開（公告）日: 2009-02-11
• 發明（設計）人: 邱海軍;王章濤;閔泰燁
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G03F7/00;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉芳

1.一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結構的制造方法，其特征在于，包括：

步驟1，在潔凈的基板上依次沉積柵金屬層，第一柵絕緣層，有源層，摻雜層，采用第一塊掩模版，該掩模版為灰色調掩模版，經過曝光顯影后得到無光刻膠區域、保留部分光刻膠區域和保留全部光刻膠區域；刻蝕無光刻膠區域形成柵線和柵電極圖形；完成刻蝕后，對光刻膠進行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區域的光刻膠，露出柵線上的部分摻雜層，接著對摻雜層和有源層進行刻蝕，得到柵線上的截斷槽；接著沉積第二絕緣層，采用光刻膠離地剝離工藝，剝離掉柵線和柵電極上方除隔斷槽區域外的第二絕緣層；

步驟2，在完成步驟1基板上沉積像素電極層，采用第二塊掩模版，經過曝光顯影后得到像素電極及與像素電極一體的漏電極圖形；

步驟3，在完成步驟2基板上沉積源漏金屬電極層，采用第三塊掩模版，該掩模版為灰色調掩模版，經過曝光顯影后得到無光刻膠區域、保留部分光刻膠區域和保留全部光刻膠區域；刻蝕無光刻膠區域形成薄膜晶體管溝道；完成刻蝕后，對光刻膠進行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區域的光刻膠，露出數據線及一體源電極；接著沉積鈍化層，采用光刻膠離地剝離工藝，剝離掉鈍化層，露出像素電極及一體漏電極部分；最后進行源漏電極刻蝕，除去像素電極及一體漏電極上方的源漏金屬電極層。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述步驟1中第一塊掩膜版經過曝光顯影后無光刻膠的區域為形成柵線和柵電極以外的區域；保留部分光刻膠區域為形成柵線上的截斷槽區域。

3.根據權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于：所述步驟1中刻蝕無光刻膠區域包括刻蝕摻雜層、有源層、第一柵絕緣層和柵金屬層。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述步驟3中第三塊掩膜版經過曝光顯影后保留全部光刻膠的區域包括形成像素電極及一體漏電極區域；保留部分光刻膠區域包括形成數據線及其一體的源電極區域；其他部分為無光刻膠區域。

5.根據權利要求1或4所述的制造方法，其特征在于：所述步驟3中刻蝕無光刻膠區域得到薄膜晶體管溝道部分至少包括源漏金屬層刻蝕和摻雜層的刻蝕。