[發明專利]一種TFT陣列基板結構及其制造方法

無效

• 申請號: 200710120167.1
• 申請日: 2007-08-10
• 公開（公告）號: CN101364603A
• 公開（公告）日: 2009-02-11
• 發明（設計）人: 王章濤;劉翔;邱海軍
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉芳

1.一種TFT陣列基板結構，包括：基板，形成在基板的柵線和數據線，柵線和數據線之間通過柵絕緣層隔開，柵線和數據線交叉定義一個像素單元，每一像素單元至少包括一薄膜晶體管器件和像素電極，其特征在于：所述數據線與所述薄膜晶體管器件的源電極為一體結構，且所述數據線和所述薄膜晶體管器件的源電極下方均包含有有源層。

2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于：所述柵線、柵電極、源電極、數據線或漏電極為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu的單層膜，或者為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al或Cu之一或任意組合所構成的復合膜。

3.根據權利要求1所述的TFT陣列基板結構，其特征在于：所述柵絕緣層的材料為氧化物、氮化物或者氧氮化合物。

4.一種TFT陣列基板結構的制造方法，其特征在于，包括：

步驟1，在一基板上沉積柵金屬層，采用第一塊掩模版，經掩模、曝光、刻蝕和光刻膠去除工藝后，形成柵電極和柵線；

步驟2，在完成步驟1的基板上，依次沉積柵絕緣層、有源層、源漏金屬層，采用第二塊掩模版，經掩模、曝光、刻蝕和光刻膠去除工藝后，形成數據線和源漏電極圖形，其中數據線和源漏電極圖形的下方均保留有有源層；

步驟3，在完成步驟2的基板上，通過等離子增強化學氣相沉積法沉積鈍化層，采用第三塊掩模版，經掩模、曝光、刻蝕和光刻膠去除工藝后，形成保護層，同時形成過孔，露出漏電極處的源漏金屬層和后續形成溝道處的源漏金屬層；

步驟4，在完成步驟3的基板上，沉積透明導電層，采用第四塊掩模版，經掩模、曝光和刻蝕工藝后，形成像素電極，像素電極通過步驟3中漏電極處形成的過孔與漏電極連接；繼續對后續形成溝道處的源漏金屬層和其下方的部分有源層進行刻蝕，形成薄膜晶體管溝道，去除光刻膠。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述步驟2中依次沉積柵絕緣層、有源層和源漏金屬層為連續沉積。

6.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述步驟2溝道處的源漏金屬層和其下方的部分有源層進行刻蝕為連續刻蝕。