[發明專利]電性接觸裝置的制造方法

有效

• 申請號: 200710109230.1
• 申請日: 2007-05-24
• 公開（公告）號: CN101311733A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 陳志忠
• 申請（專利權）人: 旺矽科技股份有限公司
• 主分類號: G01R1/073
• 分類號: G01R1/073
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種電性接觸裝置的制造方法，其特征在于，包含有以下步 驟：

(a)、制備一基座；

(b)、于該基座的表面上設置一介電層，且于該介電層頂面位置 形成一容槽及若干連接槽，該容槽的一壁面鄰接該介電層的表面，該 連接槽與該基座表面上的電路布線連通；

(c)、于該容槽內設置一第一犧牲層，于該連接槽中布植一第一 針體金屬層；

(d)、于該介電層的頂面上布設一位于該第一針體金屬層周邊及 該第一犧牲層與介電層上方的一第二犧牲層，并于該第二犧牲層定義 出一針體輪廓；

(e)、于該針體輪廓內設置一第二針體金屬層；

(f)、重復施作步驟(d)與(e)一至數次以堆棧形成一電性接 觸結構；

(g)、去除第一及第二犧牲層，即得由該基座及部分包覆于該介 電層內的由該各針體金屬層所構成包含針身與針尖部分的該電性接 觸結構。

2.依據權利要求1所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，其于步驟(c)中先于該第一針體金屬層及其鄰接的該介電層上 設置一導電層。

3.依據權利要求2所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，其中該導電層為由公知的半導體制造工藝或由涂布圖案方式所布 設。

4.依據權利要求1所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，其中該第一針體金屬層采用電鑄制造工藝、半導體制造工藝、化 學鍍方式或填入導電材料方式其中之一方式所制作。

5.依據權利要求1所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，其于步驟(c)后加工平坦化該第一犧牲層與該介電層使兩者齊 平。

6.依據權利要求1所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，其于步驟(e)后加工平坦化該第二針體金屬層與該第二犧牲層 使兩者齊平。

7.依據權利要求1所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，其于步驟(d)前先于該介電層的表面上設置一導電層，該導電 層局部位于該第一犧牲層上。

8.依據權利要求7所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，其中該導電層為由半導體制造工藝或涂布圖案方式所布設。

9.依據權利要求7所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，以一連接線電性連接該導電層與該基座表面的電路。

10.依據權利要求1所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，其于步驟(b)中該容槽是以微影制造工藝、激光加工、熱壓加 工、機械加工其中之一方式制作成形。

11.依據權利要求1所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，其于步驟(c)中該第一犧牲層是以電鑄、化學鍍、填入犧牲材 料其中之一方式成形。

12.依據權利要求1所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，該第二犧牲層是以微影制造工藝、激光加工、熱壓加工、機械加 工其中之一方式定義該針體輪廓。

13.依據權利要求1所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，其中該各針體金屬層為不同的導電材質組成針身與針尖部分。

14.依據權利要求1所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，其中該第二針體金屬層采用電鑄制造工藝、半導體制造工藝、化 學鍍、填入導電材料其中之一方式加以制作。

15.依據權利要求1所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征在 于，設置一絕緣層于該介電層的表面上，并局部包覆該第二針體金屬 層。

16.依據權利要求15所述的電性接觸裝置的制造方法，其特征 在于，其中于步驟(e)完成該針身部分后，先去除相鄰該針身部分 的第二犧牲層之后，以微影制造工藝制作該絕緣層，再于該絕緣層的 空隙中填入一第三犧牲層。