[發(fā)明專利]線路組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710107580.4
• 申請日: 2007-05-21
• 公開（公告）號: CN101312174A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發(fā)明（設計）人: 羅心榮;楊秉榮
• 申請（專利權）人: 米輯電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/485;H01L25/00;H01L25/065
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫皓晨

1.一種線路組件，其特征在于，包括：

一半導體芯片；

一第一半導體基底，位于所述的半導體芯片上方，所述的第一半導體基底具有至少一第一金屬接墊，且所述的第一半導體基底包括數(shù)個厚度介于0.05微米至2微米之間的第一介電層以及數(shù)個厚度介于0.05微米至2微米之間的第一細線路層，所述的第一介電層具有多個第一通道孔，所述的第一細線路層位于所述的第一介電層其中之一上方，且所述的第一細線路層憑借所述的第一通道孔彼此電連接；

一第一保護層，位于所述的第一半導體基底上，且所述的第一保護層具有至少一開口暴露出所述的第一金屬接墊，所述的第一保護層的材質包括一氮硅化合物與一氧硅化合物其中之一或其組合；

一第一金屬層，位于所述的第一保護層上方并電連接至所述的第一金屬接墊，且所述的第一金屬層具有一第一打線接墊與一第二打線接墊，所述的第一打線接墊與所述的第二打線接墊均電連接至所述的第一金屬接墊，所述的第一金屬層的厚度介于1微米至20微米之間；

一第一黏著/阻障層，位于所述的第一金屬層與所述的第一金屬接墊之間；

一種子層，位于所述的第一黏著/阻障層與所述的第一金屬層之間，且所述的種子層與所述的第一金屬層為相同材質；

一硅芯片，位于所述的第一保護層上方；

一第一打線導線，一端連接所述的第一打線接墊，另一端則連接所述的半導體芯片；以及

一第二打線導線，一端連接所述的第二打線接墊，另一端則連接所述的硅芯片。

2.根據(jù)權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第一細線路層的底層為銅層，而頂層為鋁層。

3.根據(jù)權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第一細線路層包括厚度介于0.05微米至2微米之間的一鋁層或銅層。

4.根據(jù)權利要求1所述的線路組件，其特征在于：還包括一印刷電路板，且所述的半導體芯片位于所述的印刷電路板上方。

5.根據(jù)權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第一金屬層的材質包括金。

6.根據(jù)權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第一金屬層的材質包括銅。

7.根據(jù)權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第一金屬層的材質包括銀、鉑、鈀與鎳其中之一或其組合。

8.根據(jù)權利要求1所述的線路組件，其特征在于：還包括一聚合物保護層包覆所述的半導體芯片、所述的第一打線導線、所述的第二打線導線以及所述的硅芯片。

9.根據(jù)權利要求1所述的線路組件，其特征在于：由俯視透視圖觀之所述的第一打線接墊與所述的第二打線接墊與所述的第一金屬接墊處于不同位置。

10.根據(jù)權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第一黏著/阻障層包括厚度介于0.02微米至0.8微米之間的一鈦鎢合金層或一鈦金屬層。

11.根據(jù)權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第一半導體基底包括一主動組件，所述的主動組件位于所述的第一打線接墊或所述的第二打線接墊下方。

12.根據(jù)權利要求11所述的線路組件，其特征在于：所述的主動組件包括晶體管。

13.根據(jù)權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第一保護層與所述的第一金屬層之間還設有一聚合物層。

14.根據(jù)權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第一保護層與所述的第一金屬層之間還設有一聚酰亞胺化合物層，其厚度介于2微米至100微米之間。

15.根據(jù)權利要求1所述的線路組件，其特征在于：所述的第一金屬層上還設有一聚合物層，其厚度介于2微米至100微米之間。