[發明專利]氮化物半導體發光元件有效
| 申請號： | 200710107404.0 | 申請日： | 2007-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN101071841A | 公開（公告）日： | 2007-11-14 |
| 發明（設計）人： | 藤倉序章 | 申請（專利權）人： | 日立電線株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 | 代理人： | 葛松生 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 發光 元件 | ||
【權利要求書】：
1.一種氮化物半導體發光元件，其特征在于，在襯底上至少疊層n型層、由多對InGaN阱層/InGaN阻擋層構成的多重量子阱活性層、以及p型層，所述的多重量子阱活性層所含有的InGaN阻擋層的組成由InxGa1-xN(0.04≤x≤0.1)表示，并且，包括上述InGaN阻擋層，發光元件中含有的In組成比為0.04～0.1范圍的InGaN層的厚度的合計為60nm以下。
2.權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，所述活性層的發光峰波長在430～560nm的范圍。
3.權利要求1所述氮化物半導體發光元件，其特征在于，所述InGaN阻擋層的厚度為5～20nm的范圍。
4.權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，在所述多重量子阱活性層和所述n型層之間，插入了In組成比為0.04～0.1范圍的InGaN層。
5.權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，在襯底上形成的GaN層或AlyGa1-yN層(0<y<0.5)之上，形成所述的多重量子阱活性層。
6.權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，所述的襯底是由藍寶石、Ga2O3、SiC、Si、GaN、AlN中的任一種構成的單晶襯底。
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