[發明專利]半導體結構的形成方法

無效

• 申請號: 200710103965.3
• 申請日: 2007-05-17
• 公開（公告）號: CN101188210A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 余振華;陳海清;包天一
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

1.一種半導體結構的形成方法，包括

提供一基板；

在該基板上形成一低介電常數介電層；

在該低介電常數介電層中形成一導線，以及

在一含碳硅烷化學品中熱處理該導線以在該導線上形成一阻擋層。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中該導線包括銅。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，在該熱處理時關閉等離子體。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中該熱處理的溫度介于約150℃至約450℃。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中該含碳硅烷化學品選自下列所組成的族群：SiH₃(CH₃)₁、SiH₂(CH₃)₂、SiH(CH₃)₃及上述的組合。

6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其中該含碳硅烷化學品不含有Si(CH₃)₄。

7.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中該形成導線的步驟包括：

形成一開口，該開口從該低介電常數介電層的上表面延伸至該低介電常數介電層中；

在該開口形成一阻擋層，其中該阻擋層包括一金屬，其選自下列所組成的族群：鈷、鎳及上述的組合，且在該熱處理后，該金屬與該含碳硅烷化學品反應以形成一硅化物于該阻擋層的頂部邊緣。

8.一種半導體結構的形成方法，包括

提供一基板；

在該基板上形成一低介電常數介電層；

形成一開口，該開口從該低介電常數介電層的上表面延伸至該低介電常數介電層中；

在該開口中形成一第一阻擋層；

在該開口的剩余部分形成一導線；

去除該第一阻擋層的頂部邊緣以形成一凹槽，且暴露該導線的側壁部分，以及

在該導線的上表面與該暴露的側壁上形成一第二阻擋層。

9.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其中該第一阻擋層包括一金屬，該金屬可被硅化。

10.如權利要求9所述半導體結構的形成方法，其中該金屬包括一材料，其選自下列所組成族群：鈷、鎳及上述的組合。

11.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其中該第一阻擋層不含有鈷及鎳。

12.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其中該導線包括銅。

13.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其中形成該第二阻擋層的步驟包括電化學電鍍。