[發明專利]重疊對準圖案及其制造方法

無效

• 申請號: 200710103464.5
• 申請日: 2007-05-18
• 公開（公告）號: CN101097903A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 趙炳浩;高晟瑀
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種界定重疊對準圖案的半導體襯底，包括：

在所述襯底上界定的單元區和劃線區；和

形成于所述襯底的劃線區且排列以形成多邊形形狀的多個對準圖案，每個所述對準圖案凸出地形成在所述半導體襯底上并具有中空的多邊形形狀。

2.根據權利要求1的襯底，其中所述多個對準圖案靠近排列以生成強到足以被重疊測量設備探測的信號。

3.根據權利要求1的襯底，其中所述對準圖案具有與形成于所述單元區中的圖案相同的尺寸和節距。

4.一種制造重疊對準圖案的方法，包括：

在半導體襯底上形成圖案層和絕緣層，在所述半導體襯底上界定了單元區和劃線區；

蝕刻所述絕緣層來形成絕緣層圖案以部分地暴露所述圖案層；

在所述絕緣層圖案的側壁上形成間隙壁；

選擇性移除所述絕緣層圖案同時留下所述間隙壁，以獲得間隙壁形狀的蝕刻掩模；和

利用所述間隙壁形狀的蝕刻掩模來蝕刻所述圖案層，從而形成凸出在所述半導體襯底上并具有中空形狀的對準圖案；并且

所述對準圖案在所述半導體襯底上彼此對準排列以形成多邊形結構的側邊。

5.根據權利要求4的方法，其中所述對準圖案靠近排列從而生成強到足以被重疊測量設備探測的信號。

6.根據權利要求4的方法，其中所述絕緣層包括氧化物層。

7.根據權利要求4的方法，其中所述圖案層包括導電材料。

8.根據權利要求4的方法，其中所述絕緣層通過濕法蝕刻移除。

9.根據權利要求4的方法，其中所述間隙壁形狀蝕刻掩模形成以在所述單元區和所述劃線區中具有相同的厚度。