[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710102429.1
• 申請(qǐng)日: 2007-05-08
• 公開（公告）號(hào): CN101118927A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳宏銘;黃健朝;楊富量
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/417
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 郭曉東

1.一種半導(dǎo)體元件，包括：

半導(dǎo)體基底；

柵極堆棧結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體基底上；

間隙壁位于該柵極堆棧結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上；

輕摻雜源/漏極區(qū)與該柵極堆棧結(jié)構(gòu)鄰接；

深源/漏極區(qū)與該輕摻雜源/漏極區(qū)鄰接；以及

分段金屬硅化區(qū)位于該深源/漏極區(qū)與輕摻雜源/漏極區(qū)之上，其中該分段的金屬硅化區(qū)包括第一部份，其具有第一厚度、第二部分與該第一部份鄰接且具有第二厚度，而該第二厚度實(shí)質(zhì)上小于該第一厚度，且其中該第二部分較該第一部份靠近通道區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該間隙壁為細(xì)間隙壁，具有小于200的厚度。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該第二厚度小于該第一厚度的65％。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該第二厚度小于100。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該深源/漏極區(qū)被提高。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該分段金屬硅化區(qū)的該第二部分的底部表面高于該半導(dǎo)體基底的頂部表面。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該分級(jí)金屬硅化區(qū)的該第二部分的底部表面低于該半導(dǎo)體基底的頂部表面。

8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該分段金屬硅化區(qū)的該第二部分的內(nèi)緣實(shí)質(zhì)上與該間隙壁的外緣對(duì)齊。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該分段金屬硅化區(qū)的該第一部分與該輕摻雜源/漏極區(qū)之間具有橫向間隔。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該分級(jí)金屬硅化區(qū)的該第一部分的厚度大于該輕摻雜源/漏極區(qū)的厚度。

11.一種半導(dǎo)體元件，包括：

半導(dǎo)體基底；

柵極堆棧結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體基底上；

間隙壁位于該柵極堆棧結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上，其中該間隙壁的厚度小于約200；

輕摻雜源/漏極區(qū)與該柵極堆棧結(jié)構(gòu)鄰接；

深源/漏極區(qū)與該輕摻雜源/漏極區(qū)鄰接；

第一金屬硅化區(qū)位于該深源/漏極區(qū)之上；以及

第二金屬硅化區(qū)位于該第一金屬硅化區(qū)與該間隙壁之間，其中該第一金屬硅化區(qū)具有第一厚度，其大于該第二金屬硅化區(qū)的第二厚度。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該第二厚度小于該第一厚度的65％。

13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該第一金屬硅化區(qū)與第二金屬硅化區(qū)包括不同金屬。

14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該第一金屬硅化區(qū)與該第二金屬硅化區(qū)包括相同金屬。

15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于該輕摻雜源/漏極區(qū)的深度大于該第二厚度但小于該第一厚度。