[發明專利]降低柵致漏極泄漏電流的集成電路驅動電路及操作方法無效
| 申請號: | 200710100913.0 | 申請日: | 2007-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN101119113A | 公開(公告)日: | 2008-02-06 |
| 發明(設計)人: | 崔鐘賢;李圭澯;林成旼;申東學 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H03K19/0175 | 分類號: | H03K19/0175;G11C8/08 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 李曉舒 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 降低 柵致漏極 泄漏 電流 集成電路 驅動 電路 操作方法 | ||
1.一種用于集成電路設備的驅動電路,包括:
晶體管,具有柵極端、源極端、和體式基底端,所述源極端連接到所述體式基底端;以及
上拉電路,連接在電源節點和源極端之間,且被配置為響應于控制信號,而提高晶體管源極端和體式基底端的電壓。
2.按照權利要求1的驅動電路,其中,所述集成電路設備是集成電路存儲設備,且所述驅動電路是字線驅動電路。
3.按照權利要求2的驅動電路,所述驅動電路還包括:
全局電源節點;以及
其中,所述電源節點是局部電源節點。
4.按照權利要求3的驅動電路,其中,所述上拉電路包括:
上拉晶體管,連接在源極端和局部電源節點之間。
5.按照權利要求4的驅動電路,還包括:
倒相電路,連接到電源節點,且具有連接到源極端的輸出;
開關,連接在倒相電路和公共基準節點之間,該開關響應于控制信號。
6.按照權利要求5的驅動電路,其中,所述開關是NMOS晶體管,且所述上拉晶體管是PMOS晶體管。
7.按照權利要求1的驅動電路,其中,所述晶體管是PMOS晶體管。
8.按照權利要求1的驅動電路,其中,所述驅動電路響應于控制信號,而處于激活模式和備用模式中的一個。
9.一種用于集成電路設備的驅動電路,包括:
晶體管,具有柵極端和源極端;
下拉電路,連接在電源節點和柵極端之間,且被配置為響應于控制信號,而降低晶體管柵極端的電壓。
10.按照權利要求9的驅動電路,其中,所述集成電路設備是集成電路存儲設備,且所述驅動電路是字線驅動電路。
11.按照權利要求9的驅動電路,其中,所述下拉電路包括至少一個降壓元件,該降壓元件連接在晶體管柵極端和電源節點之間。
12.按照權利要求11的驅動電路,其中,所述至少一個降壓元件包括兩個串聯的晶體管。
13.按照權利要求12的驅動電路,其中,所述下拉電路被配置為將柵極端的電壓降低大約閾值電壓的兩倍,該閾值電壓與組成至少一個降壓元件的晶體管中的一個相關。
14.按照權利要求12的驅動電路,還包括:
開關,連接到電源節點,且該開關響應于控制信號;以及
倒相電路,連接在開關和公共基準節點之間,且具有連接到柵極端的輸出。
15.按照權利要求14的驅動電路,其中,所述開關是PMOS晶體管,且組成所述至少一個降壓元件的兩個晶體管是NMOS晶體管。
16.按照權利要求9的驅動電路,其中,所述晶體管是PMOS晶體管。
17.按照權利要求9的驅動電路,其中,所述驅動電路響應于控制信號,而處于激活模式和備用模式中的一個。
18.一種用于集成電路設備的驅動電路,包括:
晶體管,具有柵極端和源極端;
開關電路,連接在所述柵極端與第一和第二電源節點之間,所述開關電路可操作來響應于控制信號,而使第一電源節點與柵極端斷開,并將第二電源節點連接到柵極端,以降低柵極端的電壓。
19.按照權利要求18的驅動電路,其中,所述開關電路包括:
第一開關,連接在第一電源節點和柵極端之間;以及
第二開關,連接在第二電源節點和柵極端之間。
20.按照權利要求18的驅動電路,其中,所述第一開關包括第一晶體管,所述第二開關包括第二晶體管,所述驅動電路還包括:
倒相器,連接在第一晶體管的柵極端和該控制信號的源之間;
其中,所述第二晶體管的柵極端連接到該控制信號的源。
21.按照權利要求20的驅動電路,其中,所述第一和第二晶體管是PMOS晶體管。
22.按照權利要求18的驅動電路,其中,所述晶體管是PMOS晶體管。
23.按照權利要求18的驅動電路,其中,所述驅動電路響應于控制信號,而處于激活模式和備用模式中的一個。
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