[發明專利]像素溝道區的掩模版及用該掩模版形成的薄膜晶體管無效
| 申請號： | 200710099780.X | 申請日： | 2007-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN101315517A | 公開（公告）日： | 2008-12-03 |
| 發明（設計）人： | 彭志龍 | 申請（專利權）人： | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/14 | 分類號： | G03F1/14;G03F7/00;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 | 代理人： | 劉芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 像素 溝道 模版 形成 薄膜晶體管 | ||
【權利要求書】：
1、一種像素溝道區掩模版，包括：溝道區半曝光掩模結構，漏極掩模結構，和源極掩模結構，其特征在于：所述溝道區半曝光掩模結構還包括溝道區外圍半曝光掩模結構。
2、根據權利要求1所述的像素溝道區掩模版，其特征在于：所述溝道區外圍半曝光掩模結構為柵狀、網狀或孔狀結構。
3、根據權利要求1所述的像素溝道區掩模版，其特征在于：所述溝道區外圍半曝光掩模結構為整體葉狀的結構。
4、根據權利要求3所述的像素溝道區掩模版，其特征在于：所述整體葉狀的結構的局部為柵狀。
5、根據權利要求3所述的像素溝道區掩模版，其特征在于：所述整體葉狀的結構的局部為網狀或孔狀。
6、根據權利要求1至5任一所述的像素溝道區掩模版，其特征在于：所述溝道區半曝光掩模結構，漏極掩模結構，源極掩模結構和溝道區外圍半曝光掩模結構的材料為金屬鉻。
7、一種采用權利要求1至5任一所述的像素溝道區掩模版形成的薄膜晶體管，其特征在于：所述形成的薄膜晶體管的溝道區域有一向外擴展區域。
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G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
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G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
