[發明專利]有機發光顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 200710097865.4 | 申請日: | 2007-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN101179092A | 公開(公告)日: | 2008-05-14 |
| 發明(設計)人: | 金鐘允;崔炳德 | 申請(專利權)人: | 三星SDI株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;H05B33/12;H05B33/10 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 郭鴻禧;常桂珍 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示器 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光顯示器,包括:
基底;
有機發光二極管、絕緣層、柵極絕緣層和半導體層,位于基底上,絕緣層位于有機發光二極管和柵極絕緣層之間,柵極絕緣層位于絕緣層和半導體層之間;
非透射層,位于柵極絕緣層上,其中,所述非透射層適于阻擋紫外線。
2.如權利要求1所述的有機發光顯示器,還包括:
緩沖層,位于所述基底上;
柵極,位于所述柵極絕緣層上;
層間介電層,位于所述柵極上;
源極/漏極,位于所述層間介電層上,其中,所述絕緣層位于所述源極/漏極和所述有機發光二極管之間。
3.如權利要求1所述的有機發光顯示器,其中,所述非透射層位于所述半導體層的外側。
4.如權利要求2所述的有機發光顯示器,其中,所述半導體層和所述源極/漏極通過穿透所述柵極絕緣層和所述層間介電層的導電接觸件而連接到一起,所述非透射層位于所述導電接觸件的外側。
5.如權利要求2所述的有機發光顯示器,其中,所述非透射層位于所述源極/漏極的下面。
6.如權利要求1所述的有機發光顯示器,其中,所述非透射層位于所述有機發光二極管的下面。
7.如權利要求1所述的有機發光顯示器,其中,所述非透射層的一部分位于與所述有機發光二極管對應的位置。
8.如權利要求2所述的有機發光顯示器,其中,所述非透射層包含與所述柵極的材料相同的材料。
9.如權利要求2所述的有機發光顯示器,其中,所述非透射層的厚度與所述柵極的厚度相同。
10.如權利要求1所述的有機發光顯示器,其中,所述非透射層包含從由Mo、MoW、Ti、Cu、Al、AlNd、Cr、鉬合金、銅合金、鋁合金和摻雜的多晶硅構成的組中選擇的材料。
11.如權利要求1所述的有機發光顯示器,其中,所述非透射層是紫外線防護劑。
12.如權利要求1所述的有機發光顯示器,其中,所述非透射層包括從由紫外線非透射金屬、透明的紫外線防護劑和不透明的紫外線防護劑構成的組中選擇的層。
13.如權利要求1所述的有機發光顯示器,其中,所述非透射層包含從由Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO和ATD構成的組中選擇的材料。
14.如權利要求1所述的有機發光顯示器,其中,所述非透射層的厚度在和之間。
15.如權利要求1所述的有機發光顯示器,其中,所述基底的厚度在0.05mm和1mm之間。
16.如權利要求1所述的有機發光顯示器,其中,所述基底包含從由玻璃、塑料、聚合物和鋼構成的組中選擇的材料。
17.如權利要求1所述的有機發光顯示器,還包括位于所述基底下面的防磨擦層。
18.如權利要求1所述的有機發光顯示器,還包括位于所述基底下面的厚度為10μm至100μm的防磨擦層。
19.如權利要求1所述的有機發光顯示器,還包括位于所述基底下面的并包含有機材料或無機材料的防磨擦層。
20.一種制造有機發光顯示器的方法,包括:
準備兩個基底;
將所述兩個基底附著到一起;
在所述兩個附著的基底的外側上形成緩沖層;
在每個緩沖層上形成半導體層;
在所述半導體層的外側上形成非透射層;
在每個半導體層和每個非透射層上形成絕緣層;
在每個絕緣層上形成有機發光二極管;
將所述兩個附著的基底分離。
21.如權利要求20所述的方法,在所述形成半導體層的步驟和所述形成非透射層的步驟之間還包括:
在所述半導體層上形成柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上形成柵極。
22.如權利要求21所述的方法,還包括:
在所述半導體層上形成柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上形成柵極,其中,所述形成非透射層與所述形成柵極同時進行。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





