[發明專利]布線電路基板及其制造方法

無效

• 申請號: 200710096827.7
• 申請日: 2007-04-04
• 公開（公告）號: CN101052269A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: 石井淳;大藪恭也
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K3/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 沙永生

1.布線電路基板，其特征在于，具備金屬支承基板、形成于前述金屬支承基板上的基底絕緣層、形成于前述基底絕緣層上的導體布圖、形成于前述導體布圖上的第1半導電性層、形成于前述第1半導電性層上的被覆絕緣層及形成于前述被覆絕緣層上的第2半導電性層，前述第1半導電性層和前述第2半導電性層與前述金屬支承基板電連接。

2.如權利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述導體布圖包含通過前述被覆絕緣層開口而露出的端子部，前述第2半導電性層的至少一端與前述端子部電連接，至少另一端與前述金屬支承基板電連接。

3.如權利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述第1半導電性層和前述第2半導電性層互相接觸。

4.如權利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述第1半導電性層的表面電阻值為10⁵～10¹³Ω/□。

5.如權利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述第2半導電性層的表面電阻值為10⁵～10¹³Ω/□。

6.如權利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述第1半導電性層和前述第2半導電性層都由金屬氧化物形成。

7.如權利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述第2半導電性層的表面電阻值為10⁴～10¹²Ω/□。

8.如權利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述第1半導電性層由金屬氧化物形成，前述第2半導電性層由導電性聚合物形成。

9.布線電路基板的制造方法，其特征在于，具備準備金屬支承基板，在前述金屬支承基板上形成基底絕緣層并在前述基底絕緣層上形成導體布圖的工序；在前述導體布圖的表面及從前述導體布圖露出的前述基底絕緣層的表面形成第1半導電性層，使其與前述金屬支承基板電連接的工序；在前述第1半導電性層上形成被覆絕緣層的工序；除去從前述被覆絕緣層露出的前述第1半導電性層的工序；以及在前述被覆絕緣層的表面及從前述被覆絕緣層露出的前述基底絕緣層的表面形成第2半導電性層，使其與前述金屬支承基板電連接的工序。

10.如權利要求9所述的布線電路基板的制造方法，其特征在于，在前述形成第1半導電性層的工序中，前述第1半導電性層由金屬氧化物形成，在前述形成第2半導電性層的工序中，前述第2半導電性層由導電性聚合物形成。