[發明專利]復合式金屬氧化物半導體電容以及鎖相環

有效

• 申請號: 200710096505.2
• 申請日: 2007-04-11
• 公開（公告）號: CN101056105A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發明（設計）人: 林小琪
• 申請（專利權）人: 威盛電子股份有限公司
• 主分類號: H03L7/085
• 分類號: H03L7/085;H03L7/093
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 呂曉章;李曉舒

1.一種復合式金屬氧化物半導體電容，其中包括：

一高電壓P型金屬氧化物半導體電容，該高電壓P型金屬氧化物半導體電容的基極耦接一低電壓偏壓源的電源端；以及

一高電壓N型金屬氧化物半導體電容，該高電壓N型金屬氧化物半導體電容的基極耦接該低電壓偏壓源的地端；

其中，低電壓偏壓源的電壓值與該高電壓P型金屬氧化物半導體電容的臨界電壓值的差值近似于該高電壓N型金屬氧化物半導體電容的臨界電壓值，

該高電壓P型金屬氧化物半導體電容的柵極與該高電壓N型金屬氧化物半導體電容的柵極連接在一起，用以接收一控制電壓。

2.如權利要求1所述的復合式金屬氧化物半導體電容，其中，該高電壓P型金屬氧化物半導體電容與該高電壓N型金屬氧化物半導體電容具有同樣的通道長度，該高電壓P型金屬氧化物半導體電容與該高電壓N型金屬氧化物半導體電容的寬度之間具比例關系。

3.如權利要求1所述的復合式金屬氧化物半導體電容，其中，該復合式金屬氧化物半導體電容被應用在一芯片中，該芯片具有一低電壓源，該芯片內的組件可分類成高電壓組件以及低電壓組件，該高電壓組件的柵極氧化層厚度大于該低電壓組件的柵極氧化層厚度，該復合式金屬氧化物半導體電容屬于該高電壓組件，該低電壓偏壓源為該低電壓源。

4.一種鎖相環，其中包括：

一相位頻率檢測器，量測一參考信號以及一反饋信號的相位差與頻率差；

一電荷泵，包括一充電電路以及一放電電路，根據該參考信號與該反饋信號的相位差與頻率差切換該充電電路與該放電電路；

一回路濾波器，具有至少一個復合式金屬氧化物半導體電容，該電荷泵對該復合式金屬氧化物半導體電容充放電以調整該回路濾波器的輸出端的電壓；以及

一壓控振蕩器，輸出一振蕩信號，根據該回路濾波器的輸出端的電壓調整該振蕩信號的頻率；

其中，該復合式金屬氧化物半導體電容包括：

一高電壓P型金屬氧化物半導體電容，該高電壓P型金屬氧化物半導體電容的基極耦接一低電壓偏壓源的電源端；以及

一高電壓N型金屬氧化物半導體電容，該高電壓N型金屬氧化物半導體電容的基極耦接該低電壓偏壓源的地端；

其中，低電壓偏壓源的電壓值與該高電壓P型金屬氧化物半導體電容的臨界電壓值的差值等于該高電壓N型金屬氧化物半導體電容的臨界電壓值，

該高電壓P型金屬氧化物半導體電容的柵極與該高電壓N型金屬氧化物半導體電容的柵極連接在一起，用以接收一控制電壓。

5.如權利要求4所述的鎖相環，該鎖相環內的組件可分類成高電壓組件以及低電壓組件，該高電壓組件的柵極氧化層厚度大于該低電壓組件的柵極氧化層厚度，該回路濾波器的復合式金屬氧化物半導體電容屬于該高電壓組件，該壓控振蕩器屬于該低電壓組件。

6.如權利要求5所述的鎖相環，更包括一低電壓源，該低電壓源即該復合式金屬氧化物半導體電容所使用的該低電壓偏壓源，該壓控振蕩器亦使用該低電壓源。

7.如權利要求4所述的鎖相環，其中，該復合式金屬氧化物半導體電容的高電壓P型金屬氧化物半導體電容與高電壓N型金屬氧化物半導體電容具有同樣的通道長度，該復合式金屬氧化物半導體電容的高電壓P型金屬氧化物半導體電容與高電壓N型金屬氧化物半導體電容的寬度之間具有比例關系。

8.如權利要求4所述的鎖相環，其中，該回路濾波器更包括：

一電阻，該電阻的第一端耦接該回路濾波器的輸出端；

一第一復合式金屬氧化物半導體電容，該第一復合式金屬氧化物半導體電容的控制端耦接該電阻的第二端；以及

一第二復合式金屬氧化物半導體電容，該第二復合式金屬氧化物半導體電容的控制端耦接該回路濾波器的輸出端。