[發明專利]液體處理裝置有效
| 申請號: | 200710096184.6 | 申請日: | 2007-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN101060069A | 公開(公告)日: | 2007-10-24 |
| 發明(設計)人: | 飽本正巳;戶島孝之;金子聰;松本和久;伊藤規宏;難波宏光 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/67;H01L21/687;B08B3/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 溫大鵬 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液體 處理 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及對例如半導體晶片等基板進行既定的液體處理、例如用來將附著在半導體晶片上的微粒及污物除去的清洗處理的液體處理裝置。
背景技術
在半導體器件的制造工藝或平板顯示器(PFD)的制造工藝中,較多采用對作為被處理基板的半導體晶片或玻璃基板供給處理液而進行液體處理的工藝。作為這樣的工藝,可以舉出例如將附著在基板上的微粒及污物等除去的清洗處理、光刻工序中的光致抗蝕劑液及顯影液的涂敷處理等。
作為這樣的液體處理裝置,已知有下述裝置:將半導體晶片等基板保持在旋轉夾盤上,在使基板旋轉的狀態下對晶片的正面或正反面供給處理液,在晶片的正面或正反面上形成液膜而進行處理。
在這種裝置中,通常進行對晶片的中心供給處理液、通過使基板旋轉而使處理液向外方擴散而形成液膜、使處理液脫離的處理。并且,設有圍繞晶片外側的杯體等部件,以便將向基板的外方甩出的處理液向下方引導,將從晶片甩出的處理液迅速地排出。但是,在這樣設置杯體等的情況下,處理液有可能以霧的形式飛散,到達基板而造成水痕或微粒等缺陷。
作為能夠防止這樣的問題的技術,在特開平8-1064號公報中,公開了以下的技術:以與在水平支撐基板的狀態下使基板旋轉的旋轉支撐機構一體旋轉的方式,設置承接從基板向外周方向飛散的處理液的處理液承接部件,承接處理液并將處理液向外方引導回收。在該公報中,處理液承接部件從基板側起依次具有水平遮檐部、將處理液向外側下方引導的傾斜引導部、將處理液向水平外方引導的水平引導部、以及垂直立設的壁部,將處理液驅入狹小的范圍內,在防止霧向基板再次附著的同時,經由設在處理液承接部件的角部的排液口向水平外方排出,再經由在配置于處理液承接部件外側的間隔件的內部向外方延伸的槽而排液。
但是,在特開平8-1064號公報中公開的技術中,由于與基板一起旋轉的處理液承接部件將處理液驅入基板外方的狹小范圍內,所以基板外側的間隔件部分變大,導致裝置的占位面積變大。此外,排氣不得不與排液一起進行,在下游側需要用來將排出氣體、排出液體分離的機構。
發明內容
本發明的目的是提供能夠減小占位面積、不需要特別設置排出氣體與排出液體的分離機構的液體處理裝置。
根據本發明的一個技術方案,提供一種液體處理裝置,包括:基板保持部,水平地保持基板,能夠與基板一起旋轉;旋轉杯,圍繞保持在上述基板保持部上的基板,能夠與基板一起旋轉;旋轉機構,使上述旋轉杯及上述基板保持部一體地旋轉;液體供給機構,對基板供給處理液;排氣排液部,進行上述旋轉杯的排氣及排液;上述排氣排液部具有主要將從基板甩出的處理液取入而排液的呈環狀的排液杯、和在上述排液杯的外側圍繞上述排液杯地設置并將來自上述旋轉杯及其周圍的主要是氣體成分取入而排氣的排氣杯,分別獨立地進行從上述排液杯的排液和從上述排氣杯的排氣。
根據本發明的另一個技術方案,提供一種液體處理裝置,包括:基板保持部,水平地保持基板,能夠與基板一起旋轉;旋轉杯,圍繞保持在上述基板保持部上的基板,能夠與基板一起旋轉;旋轉機構,使上述旋轉杯及上述基板保持部一體地旋轉;正面液體供給機構,對基板的正面供給處理液;背面液體供給機構,對基板的背面供給處理液;排氣排液部,進行上述旋轉杯的排氣及排液;上述排氣排液部具有主要將從基板甩出的處理液取入而排液的呈環狀的排液杯、和在上述排液杯的外側圍繞上述排液杯地設置并將來自上述旋轉杯及其周圍的主要是氣體成分取入而排氣的排氣杯,分別獨立地進行從上述排液杯的排液和從上述排氣杯的排氣。
根據本發明,由于設有與基板的旋轉一起旋轉的旋轉杯,所以對旋轉杯作用有離心力,與設置固定杯時相比,能夠抑制處理液的霧的飛回。此外,由于旋轉杯的存在,從排液杯飛回的霧到達基板的可能性較小,所以能夠使旋轉杯與排液杯接近,從而能夠減小排液杯,維持裝置的占位面積較小。進而,通過圍繞排液杯設置排氣杯,能夠在根源部分進行排出液體和排出氣體的分離,并且能夠分別獨立地進行從上述排液杯的排液和從上述排氣杯的排氣,所以不需要在下游側設置用來分離排出氣體和排出液體的機構。
附圖說明
圖1是表示本發明第1實施方式的液體處理裝置的概略結構的剖視圖。
圖2是將本發明第1實施方式的液體處理裝置切開一部分表示的概略俯視圖。
圖3是將圖1的液體處理裝置中設有排氣排液部的排液管的部分放大表示的剖視圖。
圖4是將圖1的液體處理裝置中設有排氣排液部的排氣管的部分放大表示的剖視圖。
圖5A~圖5D是用來說明本發明第1實施方式的液體處理裝置的處理動作的圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





