[發(fā)明專利]制作光掩模版及圖形化的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710094459.2
• 申請日: 2007-12-13
• 公開（公告）號: CN101458444A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉慶煒
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/14
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李 麗

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及制作光掩模版及圖形化的方法。

背景技術(shù)

隨著半導體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，為了半導體器件達到更快的運算速度、更大的資料存儲量以及更多的功能，半導體芯片向更高集成度方向發(fā)展。而半導體芯片的集成度越高，則半導體器件的臨界尺寸(CD，Critical?Dimension)越小。作為半導體制造關(guān)鍵技術(shù)之一的光掩模版制作也不斷地改進來適應(yīng)圖形細微化的發(fā)展。

通過光刻技術(shù)使光掩模版上的線路圖案聚焦在晶圓的光刻膠層上，線路圖案在光掩模版上通常表示為非透明區(qū)域和透明區(qū)域。為了實現(xiàn)微小的CD，必須增強光學分辨率，以制造接近光掩模版工藝中光學分辨率極限的半導體器件。美國專利US6042973揭露在光掩模版上的多個掩模版圖形邊緣分別形成近似圓形的次解析柵欄(sub-resolution?grating)，因此當該掩模版圖形轉(zhuǎn)移至晶圓時，該圖形邊緣的分辨率可以提高，然而該次解析柵欄并無法避免該圖形轉(zhuǎn)移時發(fā)生光學近距效應(yīng)。因此，為了避免上述光學近距效應(yīng)造成掩模版圖形轉(zhuǎn)移失真，而無法將圖形正確地轉(zhuǎn)移至晶圓上，現(xiàn)行的半導體工藝均是先利用計算機系統(tǒng)來對該圖形的布局圖形進行光學近距修正(OPC，OpticalProximity?Correction)，以消除光學近距效應(yīng)，然后再依據(jù)修正過的布局圖形制作掩模版圖形，形成于光掩模版上。因此，光學近距修正的基本原理就是對于布局圖形進行預先的修正，使得修正的量正好能夠補償光學近距效應(yīng)造成的缺陷，從而經(jīng)過光學近距修正而形成的掩模版圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上后，就能達到曝光工藝的要求。

現(xiàn)有技術(shù)一般將光掩模版當成理想狀態(tài)，即不考慮光掩模版的厚度，可將光掩模版看作是二維的，用麥克斯韋(Maxwell)電磁場理論計算光通過理想厚度光掩模版的傳遞函數(shù)：

∂Hx∂t=1μ(∂Ey∂z-∂Ez∂y),]]>∂Hy∂t=1μ(∂Ez∂x-∂Ex∂z),]]>∂Hz∂t=1μ(∂Ex∂y-∂Ey∂x),]]>