[發明專利]制作光掩模版及圖形化的方法有效
| 申請號： | 200710094459.2 | 申請日： | 2007-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN101458444A | 公開（公告）日： | 2009-06-17 |
| 發明（設計）人： | 劉慶煒 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李 麗 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制作 模版 圖形 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制作光掩模版的方法，其特征在于，包括：
測量光掩模版的厚度；
將厚度代入高斯函數進行計算，得到厚度系數，所述厚度系數為其中x為光掩模版長，y為光掩模版寬，λ為波長，T為光掩模版厚度；
將厚度系數與理想光掩模版的第一透射函數A進行卷積，得到在光掩模版有厚度時的第二透射函數B，即其中X’泛指空間坐標，所述理想光掩模版為光掩模版的厚度為零，其第一透射函數A為1，0離散函數；
將第二透射函數B與光學近距修正模型C進行卷積，即其中Y’泛指空間坐標；
將修正后的布局圖形轉移至光掩模版上，形成掩模版圖形。
2.一種圖形化的方法，其特征在于，包括：
測量光掩模版的厚度；
將厚度代入高斯函數進行計算，得到厚度系數，所述厚度系數為其中x為光掩模版長，y為光掩模版寬，λ為波長，T為光掩模版厚度；
將厚度系數與理想光掩模版的第一透射函數A進行卷積，得到在光掩模版有厚度時的第二透射函數B，即其中X’泛指空間坐標，所述理想光掩模版為光掩模版的厚度為零，其第一透射函數A為1，0離散函數；
將第二透射函數B與光學近距修正模型C進行卷積，即其中Y’泛指空間坐標；
將修正后的布局圖形轉移至光掩模版上，形成掩模版圖形；
將掩模版圖形轉移至晶圓上，形成器件圖形。
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G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
