[發明專利]利用SiN保護邏輯低壓區的嵌入式EEPROM工藝方法有效

申請號：	200710094419.8	申請日：	2007-12-10
公開（公告）號：	CN101459141A	公開（公告）日：	2009-06-17
發明（設計）人：	陳昊瑜;龔新軍;張可鋼	申請（專利權）人：	上海華虹NEC電子有限公司
主分類號：	H01L21/8247	分類號：	H01L21/8247
代理公司：	上海浦一知識產權代理有限公司	代理人：	顧繼光
地址：	201206上***	國省代碼：	上海;31
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	利用 sin 保護邏輯低壓嵌入式 eeprom 工藝方法
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種利用SiN保護邏輯低壓區的嵌入式EEPROM工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：(1)在高壓阱和低壓阱注入后，保留注入犧牲氧化層，用低壓化學氣相淀積在犧牲氧化層上淀積一層SiN。(2)利用光刻、刻蝕把存儲器高壓區的SiN和犧牲氧化層去除；(3)生長存儲器高壓區的高壓柵氧化層；(4)在邏輯低壓區和存儲器高壓區上淀積多晶浮柵；(5)將邏輯低壓區的多晶浮柵刻除，再利用濕法刻蝕將邏輯低壓區的SiN和犧牲氧化層刻除。

2.如權利要求1所述的利用SiN保護邏輯低壓區的嵌入式EEPROM工藝方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述淀積一層SiN的厚度是200埃。

3.如權利要求1所述的利用SiN保護邏輯低壓區的嵌入式EEPROM工藝方法，其特征在于，步驟(2)具體為：利用光刻將存儲器高壓區定義出來，然后用干法刻蝕將SiN刻掉，再用濕法刻蝕將犧牲氧化層去除，只在邏輯低壓區留下SiN和犧牲氧化層。

4.如權利要求1所述的利用SiN保護邏輯低壓區的嵌入式EEPROM工藝方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述生長存儲器高壓區的高壓柵氧化層的厚度是300埃。

5.如權利要求1所述的利用SiN保護邏輯低壓區的嵌入式EEPROM工藝方法，其特征在于，在步驟(4)中，所述在邏輯低壓區和存儲器高壓區上淀積多晶浮柵的厚度是1500埃。

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹NEC電子有限公司，未經上海華虹NEC電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710094419.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。