[發明專利]曝光方法、光刻方法及通孔的制作方法

有效

• 申請號: 200710094403.7
• 申請日: 2007-12-07
• 公開（公告）號: CN101452214A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: 鄧澤希
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/16;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種曝光方法，包括在基底上形成光阻層以及通過光罩對于基底上的光阻層進行曝光，其特征在于，在所述曝光過程中調節曝光光源中的各個透鏡頭的相對角度和相對距離以及調節透鏡組內環境氣壓，增大彗差，以使所獲得的相應光阻層開口具有比光罩上的掩模圖形更大的面積。

2.如權利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述形成光阻層的方法包括刷法、旋涂法或浸泡法。

3.如權利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述曝光光源為離子束或高壓汞燈。

4.一種光刻方法，包括下列步驟，

在基底上形成光阻層；

對于光阻層進行曝光顯影形成光阻層開口；

以光阻層為掩膜，在光阻層開口位置對于基底進行蝕刻；

去除光阻層，

其特征在于，在所述曝光過程中調節曝光光源中的各個透鏡頭的相對角度和相對距離以及調節透鏡組內環境氣壓，增大彗差，以使所獲得的相應光阻層開口具有比光罩上的掩模圖形更大的面積。

5.如權利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述形成光阻層的方法包括刷法、旋涂法或浸泡法。

6.如權利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述曝光光源為離子束或高壓汞燈。

7.一種通孔的制作方法，其特征在于，包括下列步驟，

提供具有第一金屬層的半導體襯底；

在第一金屬層上形成阻擋層；

在阻擋層上形成絕緣層；

在絕緣層上形成光阻層；

對于光阻層進行曝光、顯影形成光阻層開口；

以光阻層為掩膜，在光阻層開口位置蝕刻絕緣層至曝露出阻擋層形成通孔開口；

在絕緣層上形成第二金屬層，并填滿通孔開口；

研磨第二金屬層至曝露出絕緣層，

其中，在所述曝光過程中調節曝光光源中的各個透鏡頭的相對角度和相對距離以及調節透鏡組內環境氣壓，增大彗差，以使所獲得的相應光阻層開口具有比光罩上的掩模圖形更大的面積。

8.如權利要求7所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述阻擋層為鈦或氮化鈦。

9.如權利要求7所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述絕緣層為氧化硅。

10.如權利要求7所述的通孔的制作方法，其特征在于，所述第二金屬層為鎢。